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一种细长管内表面离子注入新技术及其机理研究- - - - 射频放电/高压脉冲直接耦合的内源/正偏压等离子体离子注入

批准号：
10575025
项目类别：
面上项目
资助金额：
35.0 万元
负责人：
田修波
依托单位：
哈尔滨工业大学
学科分类：
低温等离子体
结题年份：
2008
批准年份：
2005
项目状态：
已结题
项目参与者：
张晓东、陈建明、黄永宪、崔江涛、韦春贝
关键词：
离子注入内等离子体源内表面正偏压

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项目成果

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中文摘要
长细管筒（如枪炮身管）内表面离子注入处理是表面改性领域一个较为棘手的问题。上世纪80年代提出的等离子体离子注入概念为内表面注入提供了一种新思路：管筒内部扩散进入或内部产生等离子体，管筒施加负偏压、吸引离子获得注入效应。然而经历了"空筒、中心地电极、内源+中心地电极"等几个发展阶段后,由于硬件原理限制，结果仍很难处理较细的管筒。本项目提出了一种新的技术概念：基于内源和中心正电极结构的内表面离子注入。管筒不再接负，而是接地，通过中心电极接正排斥离子获得内壁注入效应。为了获得内源，管筒内部中心电极不仅连接高压，同时也要耦合射频功率产生等离子体，这虽然增加了硬件难度，但可以有效减小可处理管筒的内径，可处理内径有望达到1cm以下。针对这样的物理概念，本项目的研究内容包括：射频/高压的电学隔离与耦合、细小管筒条件下射频放电的规律、正向脉冲条件下稳定工作的条件、等离子体鞘层的形成及其扩展动力学等等。
英文摘要
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Plasma Processing of AISI 304 Stainless Steel Using Radio Frequency Hollow Cathode Discharge
使用射频空心阴极放电等离子处理 AISI 304 不锈钢
DOI： --
发表时间： --
期刊：
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
Direct coupling of pulsed radio frequency and pulsed high power in novel pulsed power system for plasma immersion ion implantation.
DOI： 10.1063/1.2906220
发表时间： 2008-04
期刊： The Review of scientific instruments
影响因子： --
作者： [C. Gong;X. Tian;Shiqin Yang;R. Fu;P. Chu]
通讯作者： C. Gong;X. Tian;Shiqin Yang;R. Fu;P. Chu
脉冲偏压上升沿特性对等离子体浸没离子注入鞘层扩展动力学的影响
DOI： --
发表时间： --
期刊： 物理学报, vol. 56, no. 8, pp. 4762 – 4770 (2007).
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
利用射频与高压直接耦合等离子体注入进行不锈钢表面改性
DOI： --
发表时间： --
期刊： 微细加工技术. 2008 (04)
影响因子： --
作者： []
通讯作者：
共 19 条
    细长钢管内壁长寿命耐高温硬质涂层溅射沉积方法研究
    • 批准号：
      U2241233
    • 项目类别：
      联合基金项目
    • 资助金额：
      259.00万元
    • 批准年份：
      2022
    • 负责人：
      田修波
    • 依托单位：
      哈尔滨工业大学
    细长管筒内壁自阳极磁控溅射电场反转离子加速新方法及高结合力膜层沉积研究
    • 批准号：
      12075071
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      64.0万元
    • 批准年份：
      2020
    • 负责人：
      田修波
    • 依托单位：
      哈尔滨工业大学
    含碳气体超高电流脉冲碳弧增强辉光放电及DLC薄膜高速沉积研究
    • 批准号：
      11875119
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      66.0万元
    • 批准年份：
      2018
    • 负责人：
      田修波
    • 依托单位：
      哈尔滨工业大学
    大面积工件自源自偏压空心阴极放电及用于高硬超厚DLC薄膜沉积研究
    • 批准号：
      11675047
    • 项目类别：
      面上项目
    • 资助金额：
      78.0万元
    • 批准年份：
      2016
    • 负责人：
      田修波
    • 依托单位：
      哈尔滨工业大学
    国内基金
    海外基金