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微小电感耦合射频等离子体细长管筒内表面离子注入新技术及应用研究
结题报告
批准号:
10775036
项目类别:
面上项目
资助金额:
36.0 万元
负责人:
田修波
依托单位:
学科分类:
A2907.低温等离子体
结题年份:
2010
批准年份:
2007
项目状态:
已结题
项目参与者:
张晓冬、孙松涛、汪志健、黄永宪、巩春志、徐祥久
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中文摘要
细长管筒内表面离子注入处理是表面改性领域一个非常棘手的问题。等离子体浸没离子注入概念为内表面离子注入提供了一种新思路。为了获得内部等离子体,有研究者采用了内部电容耦合射频等离子体方法,但由于二极放电(径向放电),放电空间(管筒半径)需要很大,结果仍很难处理较细的管筒。因此本项目提出了一种新的技术概念:电感耦合射频等离子体内源的内表面离子注入。将一端接地的螺线管放置在管筒内,螺线管通过射频电流时就会在管筒内产生电感耦合等离子体。管筒接高压脉冲,吸引离子获得注入效应。该技术的最大优势是:由于是无极、轴向放电,对管筒径向空间要求较小,结果可以处理非常细的管筒。巧妙的是:内部电感线圈既作为内部等离子体源又充当内电极(地电位钳制),一根丝解决了内筒注入两个难题。针对这样的物理概念,本项目研究内容包括:细长管筒条件下电感耦合射频放电的规律、高压脉冲条件下稳定工作的条件、等离子鞘层形成及扩展动力学等等。
英文摘要
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Hybrid radio-frequency/direct-current plasma-enhanced chemical vapor deposition system for deposition on inner surfaces of polyethylene terephthalate bottles
用于聚对苯二甲酸乙二醇酯瓶内表面沉积的混合射频/直流等离子体增强化学气相沉积系统
DOI:--
发表时间:--
期刊:
影响因子:--
作者:
通讯作者:
DOI:10.1063/1.2906220
发表时间:2008-04
期刊:The Review of scientific instruments
影响因子:--
作者:C. Gong;X. Tian;Shiqin Yang;R. Fu;P. Chu
通讯作者:C. Gong;X. Tian;Shiqin Yang;R. Fu;P. Chu
DOI:--
发表时间:--
期刊:真空科学与技术学报.2008(6)
影响因子:--
作者:
通讯作者:
DOI:--
发表时间:--
期刊:真空科学与技术学报.2010,6, doi:10.3969/j.issn.1672-7126. 2010. 06. 08
影响因子:--
作者:
通讯作者:
DOI:--
发表时间:--
期刊:微细加工技术. 2008 (04)
影响因子:--
作者:
通讯作者:
细长钢管内壁长寿命耐高温硬质涂层溅射沉积方法研究
  • 批准号:
    U2241233
  • 项目类别:
    联合基金项目
  • 资助金额:
    259.00万元
  • 批准年份:
    2022
  • 负责人:
    田修波
  • 依托单位:
细长管筒内壁自阳极磁控溅射电场反转离子加速新方法及高结合力膜层沉积研究
  • 批准号:
    --
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    64万元
  • 批准年份:
    2020
  • 负责人:
    田修波
  • 依托单位:
含碳气体超高电流脉冲碳弧增强辉光放电及DLC薄膜高速沉积研究
  • 批准号:
    11875119
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    66.0万元
  • 批准年份:
    2018
  • 负责人:
    田修波
  • 依托单位:
大面积工件自源自偏压空心阴极放电及用于高硬超厚DLC薄膜沉积研究
  • 批准号:
    11675047
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    78.0万元
  • 批准年份:
    2016
  • 负责人:
    田修波
  • 依托单位:
高离化率磁控溅射新方法及薄膜制备和形成机理研究
  • 批准号:
    U1330110
  • 项目类别:
    联合基金项目
  • 资助金额:
    88.0万元
  • 批准年份:
    2013
  • 负责人:
    田修波
  • 依托单位:
空心阴极放电自诱导电子加速效应及深熔焊接研究
  • 批准号:
    51175118
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    62.0万元
  • 批准年份:
    2011
  • 负责人:
    田修波
  • 依托单位:
大体积等离子体电容耦合射频激励的极板自偏压溅射效应抑制及放电规律研究
  • 批准号:
    10975041
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    40.0万元
  • 批准年份:
    2009
  • 负责人:
    田修波
  • 依托单位:
一种细长管内表面离子注入新技术及其机理研究- - - - 射频放电/高压脉冲直接耦合的内源/正偏压等离子体离子注入
  • 批准号:
    10575025
  • 项目类别:
    面上项目
  • 资助金额:
    35.0万元
  • 批准年份:
    2005
  • 负责人:
    田修波
  • 依托单位:
绝缘材料等离子体浸没离子注入表面优化
  • 批准号:
    10345003
  • 项目类别:
    专项基金项目
  • 资助金额:
    8.0万元
  • 批准年份:
    2003
  • 负责人:
    田修波
  • 依托单位:
国内基金
海外基金