课题基金 / 基金详情

绝缘材料等离子体浸没离子注入表面优化

批准号：
10345003
项目类别：
专项基金项目
资助金额：
8.0 万元
负责人：
田修波
依托单位：
哈尔滨工业大学
学科分类：
低温等离子体
结题年份：
2003
批准年份：
2003
项目状态：
已结题
项目参与者：
杨士勤、Pau K chu、Ricky fu、徐惠滨
关键词：
等离子体浸没注入.绝缘材料.

项目摘要

结项摘要

田修波的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
等离子体浸没注入利用工件施加负偏压对离子吸引从而形成离子注入效应，所以对导电材料处理是有效的。但对于绝缘材料，由于非导电性和表面充电效应，等离子注入难度可想而知。但我们初步研究表明：利用电容效应，绝缘材料等离子体注入是可行的。在该领域研究中本课题首次采用二维数值模拟，并提出栅网诱导新概念来解决厚大绝缘材料处理问题。
英文摘要
细长钢管内壁长寿命耐高温硬质涂层溅射沉积方法研究
  • 批准号：
    U2241233
  • 项目类别：
    联合基金项目
  • 资助金额：
    259.00万元
  • 批准年份：
    2022
  • 负责人：
    田修波
  • 依托单位：
    哈尔滨工业大学
细长管筒内壁自阳极磁控溅射电场反转离子加速新方法及高结合力膜层沉积研究
  • 批准号：
    12075071
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    64.0万元
  • 批准年份：
    2020
  • 负责人：
    田修波
  • 依托单位：
    哈尔滨工业大学
含碳气体超高电流脉冲碳弧增强辉光放电及DLC薄膜高速沉积研究
  • 批准号：
    11875119
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    66.0万元
  • 批准年份：
    2018
  • 负责人：
    田修波
  • 依托单位：
    哈尔滨工业大学
大面积工件自源自偏压空心阴极放电及用于高硬超厚DLC薄膜沉积研究
  • 批准号：
    11675047
  • 项目类别：
    面上项目
  • 资助金额：
    78.0万元
  • 批准年份：
    2016
  • 负责人：
    田修波
  • 依托单位：
    哈尔滨工业大学
国内基金
海外基金