基于新型非两端电阻式存储单元结构的相变存储技术研究

针对相变存储技术应用的难点和关键，本申请项目提出全新的解决方案，突破目前采用的两端电阻式存储单元结构，利用硫系化合物既是可变电阻、同时又是半导体的特性，构建基于硫系化合物半导体薄膜晶体管的非两端电阻式结构作为基本存储单元，采用特殊的结构同时利用硫系化合物在电信号作用下可实现可逆转变的特性，使核心器件具有多值存储特性。其特色和优越性在于：将电阻特性和半导体特性结合在薄膜晶体管器件中，可构成单管器件的存储单元，进一步缩减存储单元阵列面积；薄膜晶体管可以极为方便地形成多层立体结构，而将硅片面积让给较大的外围电路，解决高密度与外围电路大之间的矛盾；基本存储器件由两端电阻型变为四端晶体管型，解决了电阻器件对于工艺波动造成的尺寸变化较为敏感的问题，有利于克服向纳米存储器件发展时工艺波动的影响；可实现多值存储，具有极大的向高密度扩展的优越性。经检索该方法未见文献和专利报道，我们已申请专利。