高质量InNSb长波红外探测材料的MBE生长及微观机制研究
批准号：
60876059
项目类别：
面上项目
资助金额：
38.0 万元
负责人：
陈平平
依托单位：
学科分类：
半导体器件物理
结题年份：
2011
批准年份：
2008
项目状态：
已结题
项目参与者：
李宁、刘昭麟、李为军、王伟强、马法君、殷豪、王晓芳
项目摘要
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中文摘要
最近研究表明稀氮III-V 族窄带半导体InNSb 可以形成新型长波红外探测材料（8-14 微米），但目前在材料制备和微观机制的研究方面还刚开始，材料的晶体质量不能满足器件的要求，材料的微观机制需要细致探索。本研究课题主要探索利用氮等离子体辅助分子束外延（MBE）技术在GaAs衬底上生长高质量稀氮InNSb薄膜和量子阱材料，使其达到8－１4 微米的长波红外波段。利用X射线近边吸收，红外荧光，红外调制光谱，及磁光光谱等方法对N 在该体系中的分布形式，成键特性及相关电子态结构进行细致的实验研究，揭示InNSb 薄膜的基本物理特性（如带隙，有效质量等），探索InNSb/InSb量子阱的光跃迁过程中N 的成键特征对能带结构的影响等。为进一步设计和制备InNSb 长波长红外探测器提供研究基础。
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The effects of growth parameters on the RF-MBE growth of dilute InNSb films
生长参数对稀InNSb薄膜RF-MBE生长的影响
生长参数对稀InNSb薄膜RF-MBE生长的影响
DOI：
10.1088/0022-3727/43/30/305405
发表时间：
2010-08
期刊：
J. Phys. D: Appl. Phys.
影响因子：
--
作者：
[Y H Zhang, P P Chen*, H Yin, T X Li, W Lu*]
通讯作者：
W Lu*
Weak field magnetoresistance of narrow-gap semiconductor InSb
窄带隙半导体InSb的弱场磁阻
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DOI：
10.1063/1.3559900
发表时间：
2010-05
期刊：
J. Appl. Phys.
影响因子：
--
作者：
[R. Yang, K. H. Gao, Y. H. Zhang, P. P. Chen*, G. Y]
通讯作者：
R. Yang, K. H. Gao, Y. H. Zhang, P. P. Chen*, G. Y
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
红外与毫米波学报
影响因子：
--
作者：
[马法君, 李志锋, 陈平平, 陆 卫]
通讯作者：
陆 卫
Scanning capacitance microscopy investigation on InGaAs/InP avalanche photodiode structures: Light-induced polarity reversal
InGaAs/InP 雪崩光电二极管结构的扫描电容显微镜研究：光诱导极性反转
InGaAs/InP 雪崩光电二极管结构的扫描电容显微镜研究：光诱导极性反转
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
Appl. Phys. Lett. 95, (2009)
影响因子：
--
作者：
[Hao Yin, T. X. Li, W. J. Wang, et.al]
通讯作者：
Hao Yin, T. X. Li, W. J. Wang, et.al
DOI：
--
发表时间：
--
期刊：
物理学报
影响因子：
--
作者：
[张燕辉, 陈平平*, 李天信 殷豪]
通讯作者：
李天信 殷豪
共 8 条
Bi对III-V半导体纳米线晶体结构的调控,机理及相关光电特性研究
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批准号：61574150
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项目类别：面上项目
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资助金额：16.0万元
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批准年份：2015
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负责人：陈平平
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依托单位：
高质量InSb纳米线的分子束外延生长，微结构及输运特性研究
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批准号：61376015
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项目类别：面上项目
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资助金额：86.0万元
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批准年份：2013
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负责人：陈平平
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依托单位：
半导体表面量子结构受限量子态的原位光谱研究
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批准号：91021015
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项目类别：重大研究计划
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资助金额：70.0万元
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批准年份：2010
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负责人：陈平平
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依托单位：
国内基金
海外基金