Design of deep ultraviolet light-emitting diodes with staggered AlGaN quantum wells
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交错AlGaN量子阱深紫外发光二极管的设计
DOI：
10.1016/j.physe.2014.04.014
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发表时间：
2014-08
期刊：
影响因子：
--
通讯作者：
Y.D. Zheng
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
P. Han;Y. Shi;R. Zhang;Y.D. Zheng
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影响因子：
2.6
作者：
Guofeng Yang;Guohua Li;Shumei Gao;D. Yan;Fuxue Wang
通讯作者：
Guofeng Yang;Guohua Li;Shumei Gao;D. Yan;Fuxue Wang
影响因子：
3.7
作者：
Fiorentini, V;Bernardini, F;Lugli, P
通讯作者：
Lugli, P
影响因子：
1.9
作者：
Kneissl, M.;Kolbe, T.;Weyers, M.
通讯作者：
Weyers, M.
影响因子：
4
作者：
L. Zhang;Xingzhan Wei;Ningtao Liu;Hsingmin Lu;J. Zeng;J. Wang;Yiming Zeng;J. M. Li
通讯作者：
L. Zhang;Xingzhan Wei;Ningtao Liu;Hsingmin Lu;J. Zeng;J. Wang;Yiming Zeng;J. M. Li
影响因子：
4
作者：
K. Dong;Dunjun Chen;B. Liu;Hai Lu;Peng Chen;Rong Zhang;Youdou Zheng
通讯作者：
K. Dong;Dunjun Chen;B. Liu;Hai Lu;Peng Chen;Rong Zhang;Youdou Zheng