Capacitance-voltage and retention characteristics of Pt/SrBi2Ta2O9/HfO2/Si structures with various buffer layer thickness
Capacitance-voltage and retention characteristics of Pt/SrBi2Ta2O9/HfO2/Si structures with various buffer layer thickness
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不同缓冲层厚度的Pt/SrBi2Ta2O9/HfO2/Si结构的电容电压和保持特性
DOI：
10.1063/1.3147859
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发表时间：
2009-05
影响因子：
4
通讯作者：
唐明华
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
唐明华
以SrBi 2 Ta 2 O 9（SBT）为铁电薄膜，HfO 2为绝缘缓冲层，制备了金属-铁电-绝缘体-半导体（MFIS）结构二极管。研究了不同HfO 2掺杂量对MFIS结构电学性能的影响
The metal-ferroelectric-insulator-semiconductor (MFIS) structure diodes with SrBi2Ta2O9 (SBT) as ferroelectric thin film and HfO2 as insulating buffer layer were fabricated. The electrical properties of MFIS structure were investigated for different HfO2
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