Dimension Effect on Breakdown Voltage of Partial SOI LDMOS
Dimension Effect on Breakdown Voltage of Partial SOI LDMOS
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尺寸对部分SOI LDMOS击穿电压的影响
DOI：
10.1109/jeds.2017.2690363
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发表时间：
2017-04
影响因子：
2.3
通讯作者：
Gaofeng Wang
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yue Hu;Huazhen Liu;Qianqian Xu;Luwen Wang;Jing Wang;Shichang Chen;Peng Zhao;Ying Wang;Gaofeng Wang
研究了部分绝缘体上硅（PSOI）工艺中横向双扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）击穿电压（BV）的尺寸效应。在各种条件下检查最大BV（BVmax），
Dimension effect on breakdown voltage (BV) of lateral double-diffused metal-oxide–semiconductor field-effect transistor in partial silicon-on-insulator (PSOI) technology is comprehensively studied. The maximum BV (BVmax) is examined under vario
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影响因子：
3.1
作者：
Luo, Xiaorong;Zhang, Bo;Li, Zhaoji
通讯作者：
Li, Zhaoji
影响因子：
3.1
作者：
Y. Kim;J. Fossum;R. K. Williams
通讯作者：
Y. Kim;J. Fossum;R. K. Williams
影响因子：
3.1
作者：
H. Elahipanah;A. Orouji
通讯作者：
H. Elahipanah;A. Orouji
DOI：
10.1109/ted.2010.2079530
发表时间：
2010-07
期刊：
2010 17th IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits
影响因子：
--
作者：
Chang-Tzu Wang;M. Ker;Tien-Hao Tang;K. Su
通讯作者：
Chang-Tzu Wang;M. Ker;Tien-Hao Tang;K. Su
影响因子：
3.1
作者：
J. Mitros;Chin-Yu Tsai;H. Shichijo;M. Kunz;A. Morton;D. Goodpaster;D. Mosher;T. Efland
通讯作者：
J. Mitros;Chin-Yu Tsai;H. Shichijo;M. Kunz;A. Morton;D. Goodpaster;D. Mosher;T. Efland