Growth mechanism of epitaxial YSZ on Si by Pulsed Laser Deposition.
Growth mechanism of epitaxial YSZ on Si by Pulsed Laser Deposition.
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DOI：
10.1038/s41598-018-24025-7
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发表时间：
2018-04-10
影响因子：
4.6
通讯作者：
Rijnders G
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dubbink D;Koster G;Rijnders G
为了更深入地了解YSZ的生长机理，研究了自然氧化物在硅上外延生长YSZ的过程。具体地说，注意了在生长初期控制YSZ、硅和氧之间的化学作用的可能性。生长过程中的氧源被证明在生长过程中扮演着重要的角色，脉冲激光沉积过程中出现的所有氧源的单独操作表明了这一点。为了防止硅化物的形成和获得最佳的YSZ晶体质量，YSZ等离子体的部分氧化和足够的氧气输送到生长的薄膜是必要的。在这些条件下，生长前的自然氧化硅开始增厚，而在生长过程中YSZ-Si界面的氧化硅再生长速度要快得多。控制所有这些对生长过程的贡献对于获得高质量的YSZ的可重复生长是必要的。
The epitaxial growth of yttria-stabilized zirconia (YSZ) on silicon with native oxide was investigated in order to gain more insight in the growth mechanism. Specifically, attention was paid to the possibilities to control the chemical interactions between YSZ, silicon and oxygen during initial growth. The sources of oxygen during growth proved to play an important role in the growth process, as shown by individual manipulation of all sources present during Pulsed Laser Deposition. Partial oxidation of the YSZ plasma and sufficient delivery of oxygen to the growing film were necessary to prevent silicide formation and obtain optimal YSZ crystalline qualities. In these conditions, thickness increase of the silicon native oxide before growth just started to occur, while a much faster regrowth of silicon oxide at the YSZ-Si interface occurred during growth. Control of all these contributions to the growth process is necessary to obtain reproducible growth of high quality YSZ.
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影响因子：
3.2
作者：
BARDAL, A;MATTHEE, T;SAMWER, K
通讯作者：
SAMWER, K
影响因子：
3.9
作者：
Bunt, P;Varhue, WJ;Mongeon, S
通讯作者：
Mongeon, S
影响因子：
1.9
作者：
MESARWI, A;IGNATIEV, A
通讯作者：
IGNATIEV, A
影响因子：
3.2
作者：
Bachelet, R.;de Coux, P.;Sanchez, F.
通讯作者：
Sanchez, F.
DOI：
10.1116/1.576438
发表时间：
1990-11-01
期刊：
JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY A-VACUUM SURFACES AND FILMS
影响因子：
--
作者：
FAN, WC;MESARWI, A;IGNATIEV, A
通讯作者：
IGNATIEV, A