High-Quality InSb Grown on Semi-Insulting GaAs Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Hall Sensor Application
High-Quality InSb Grown on Semi-Insulting GaAs Substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition for Hall Sensor Application
复制标题
通过金属有机化学气相沉积在半绝缘 GaAs 衬底上生长高质量 InSb，用于霍尔传感器应用
DOI：
10.1088/0256-307x/36/1/017302
复制
发表时间：
2019
影响因子：
3.5
通讯作者：
Zhu Xin
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Li Xin;Zhao Yu;Xiong Min;Wu Qi-Hua;Teng Yan;Hao Xiu-Jun;Huang Yong;Hu Shuang-Yuan;Zhu Xin
采用金属有机化学气相沉积技术，在半绝缘GaAs衬底上生长了高质量的InSb外延层。研究了V/III比和铟预沉积时间对薄膜表面形貌、晶型、晶型的影响。
High-quality InSb epilayers are grown on semi-insulting GaAs substrates by metalorganic chemical vapor deposition using an indium pre-deposition technique. The influence of V/III ratio and indium pre-deposition time on the surface morphology, crystalline
登录
查看更多内容
影响因子：
2.1
作者：
D. L. Partin;L. Green;J. Heremans
通讯作者：
D. L. Partin;L. Green;J. Heremans
影响因子：
1.8
作者：
R. M. Biefeld;G. Hebner
通讯作者：
R. M. Biefeld;G. Hebner
影响因子：
3.2
作者：
X. Weng;N. Rudawski;P. T. Wang;R. Goldman;D. L. Partin;J. Heremans
通讯作者：
X. Weng;N. Rudawski;P. T. Wang;R. Goldman;D. L. Partin;J. Heremans
影响因子：
3.5
作者：
Xiaoyong Zhao;Yang Zhang;L. Cui;Min Guan;Baoqiang Wang;Zhanping Zhu;Yiping Zeng
通讯作者：
Xiaoyong Zhao;Yang Zhang;L. Cui;Min Guan;Baoqiang Wang;Zhanping Zhu;Yiping Zeng
影响因子：
4.3
作者：
E. Camargo;K. Ueno;Tomohiro Morishita;M. Sato;H. Endo;M. Kurihara;K. Ishibashi;Naohiro Kuze
通讯作者：
E. Camargo;K. Ueno;Tomohiro Morishita;M. Sato;H. Endo;M. Kurihara;K. Ishibashi;Naohiro Kuze