A 600-V Super-Junction pLDMOS Utilizing Electron Current to Enhance Current Capability
A 600-V Super-Junction pLDMOS Utilizing Electron Current to Enhance Current Capability
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利用电子电流增强电流能力的 600V 超级结 pLDMOS
DOI：
10.1109/ted.2019.2905964
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发表时间：
2019-04
影响因子：
3.1
通讯作者：
XingBi Chen
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Bo Yi;MouFu Kong;Jia Lin;JunJi Cheng;HaiMeng Huang;XingBi Chen
提出了一种利用电子增强电流能力的超结p型横向扩散金属氧化物半导体晶体管（SJ-pLDMOS）。所提出的SJ-pLDMOS在漏极区中具有n沟道，并且由
In this paper, a super-junction p-type lateral diffused metal–oxide–semiconductor transistor (SJ-pLDMOS) utilizing electron to enhance the current capability is proposed. The proposed SJ-pLDMOS has an n-channel in the drain region and is controlled by an
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影响因子：
3.1
作者：
Shimamoto, Satoshi;Yanagida, Yohei;Noguchi, Junji
通讯作者：
Noguchi, Junji
适用于 SPIC 的具有自动偏置 n-LDMOS 的 300V 超低比导通电阻高侧 p-LDMOS
影响因子：
6.7
作者：
Yi Bo;Chen Xingbi
通讯作者：
Chen Xingbi
DOI：
10.1109/ispsd.2011.5890785
发表时间：
2011-05
期刊：
2011 IEEE 23rd International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs
影响因子：
--
作者：
T. Miyoshi;T. Tominari;M. Hayashi;A. Ito;M. Yoshinaga;S. Ueno;T. Oshima;S. Wada
通讯作者：
T. Miyoshi;T. Tominari;M. Hayashi;A. Ito;M. Yoshinaga;S. Ueno;T. Oshima;S. Wada
DOI：
10.1109/ispsd.2002.1016216
发表时间：
2002-08
期刊：
Proceedings of the 14th International Symposium on Power Semiconductor Devices and Ics
影响因子：
--
作者：
Y. Onishi;S. Iwamoto;T. Sato;T. Nagaoka;K. Ueno;T. Fujihira
通讯作者：
Y. Onishi;S. Iwamoto;T. Sato;T. Nagaoka;K. Ueno;T. Fujihira
影响因子：
3.1
作者：
S.G. Nassif-Khalil;Li Zhang Hou;C.A.T. Salama
通讯作者：
S.G. Nassif-Khalil;Li Zhang Hou;C.A.T. Salama