Effect of interfacial conductivity on electrical characteristics of negative capacitance field effect transistors
Effect of interfacial conductivity on electrical characteristics of negative capacitance field effect transistors
复制标题
界面电导率对负电容场效应晶体管电特性的影响
DOI：
10.1088/2053-1591/ac2016
复制
发表时间：
2021
影响因子：
2.3
通讯作者：
Zheng Li
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Yong-Guang Xiao;Kai-Can Kang;Li-Ya Tian;Ke Xiong;Gang Li;Ming-Hua Tang;Zheng Li
基于金属-界面-铁电-绝缘体-半导体（MIFIS）结构的负电容场效应晶体管（NC-FET），提出了一种计算表面电位和漏电流的界面电导模型。模拟结果表明，由于晶格失配引起的电极与铁电薄膜界面层的电导率（σ）在NC-FET的电压放大和陡开关过程中起着重要的作用。新的器械设计规则应考虑到这种情况。
In this article, an interfacial conductivity model for the surface potential and the drain current was proposed based on the metal-interface-ferroelectric-insulator-semiconductor (MIFIS) structure negative capacitance field effect transistor (NC-FET). The simulating results illustrate that the electrical conductivity (σ) of the interface layer between the electrode and ferroelectric thin film caused by lattice misfit plays an important role in the process of voltage amplifying and steep switching for the NC-FET. It is indicated that new device design rules should take into account this scenario.
登录
查看更多内容
影响因子：
3.1
作者：
Zhipeng Dong;Jing Guo
通讯作者：
Zhipeng Dong;Jing Guo
影响因子：
4.9
作者：
Lee, M. H.;Wei, Y. -T.;Tsai, M. -J.
通讯作者：
Tsai, M. -J.
DOI：
10.1109/vlsit.2016.7573414
发表时间：
2016-06
期刊：
2016 IEEE Symposium on VLSI Technology
影响因子：
--
作者：
Y. Chiu;Chun‐Hu Cheng;Chun-Yen Chang;Ying-Tsan Tang;Min-Cheng Chen
通讯作者：
Y. Chiu;Chun‐Hu Cheng;Chun-Yen Chang;Ying-Tsan Tang;Min-Cheng Chen
DOI：
10.1109/iedm.2016.7838403
发表时间：
2016-12
期刊：
2016 IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)
影响因子：
--
作者：
H. Ota;T. Ikegami;J. Hattori;K. Fukuda;S. Migita;A. Toriumi
通讯作者：
H. Ota;T. Ikegami;J. Hattori;K. Fukuda;S. Migita;A. Toriumi
具有顶部和底部界面层的铁电薄膜磁滞回线中的印记建模
影响因子：
4
作者：
通讯作者：
--