A Wide Temperature Range Unified Undoped Bulk Silicon Electron and Hole Mobility Model
A Wide Temperature Range Unified Undoped Bulk Silicon Electron and Hole Mobility Model
复制标题
宽温度范围统一未掺杂体硅电子和空穴迁移率模型
DOI：
10.1109/ted.2022.3152471
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发表时间：
2022
影响因子：
3.1
通讯作者：
Wong, Hiu Yung
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Dhillon, Prabjot;Wong, Hiu Yung
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用于低温模拟的具有场相关电离能的校准硅迁移率和不完全电离模型
DOI：
10.23919/sispad49475.2020.9241599
发表时间：
2020
期刊：
2020 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
影响因子：
--
作者：
H. Wong
通讯作者：
H. Wong
FET 中的自由载流子迁移率提取
影响因子：
3.1
作者：
F. Jazaeri;A. Pezzotta;C. Enz
通讯作者：
C. Enz
冷 CMOS 作为高级 FinFET 的功耗、性能和可靠性增强器
DOI：
10.1109/vlsitechnology18217.2020.9265065
发表时间：
2020
期刊：
2020 IEEE Symposium on VLSI Technology
影响因子：
--
作者：
H. Chiang;T. C. Chen;J. F. Wang;S. Mukhopadhyay;W. K. Lee;C. Chen;W. Khwa;B. Pulicherla;P. Liao;K. Su;K. F. Yu;T. Wang;H. P. Wong;C. Diaz;J. Cai
通讯作者：
J. Cai
纳米级块状 FinFET 的低温表征
DOI：
10.1109/icsict49897.2020.9278248
发表时间：
2020
期刊：
2020 IEEE 15th International Conference on Solid-State & Integrated Circuit Technology (ICSICT)
影响因子：
--
作者：
Linjie Fan;J. Bi;Xue Fan;Gaobo Xu;Yannan Xu;K. Xi;Zhangang Zhang
通讯作者：
Zhangang Zhang
低温下 DD 模拟的注意事项
DOI：
10.1109/sispad54002.2021.9592572
发表时间：
2021
期刊：
2021 International Conference on Simulation of Semiconductor Processes and Devices (SISPAD)
影响因子：
--
作者：
Seonghoon Jin;A. Pham;W. Choi;M. A. Pourghaderi;U. Kwon;D. Kim
通讯作者：
D. Kim