A new structure and its analytical model for the electric field and breakdown voltage of SOI high voltage device with variable-k dielectric buried layer
A new structure and its analytical model for the electric field and breakdown voltage of SOI high voltage device with variable-k dielectric buried layer
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变k介质埋层SOI高压器件的电场和击穿电压新结构及其分析模型
DOI：
10.1016/j.sse.2007.01.034
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发表时间：
2007-03
影响因子：
1.7
通讯作者：
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
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影响因子：
3.1
作者：
S. Schwantes;T. Florian;T. Stephan;M. Graf;V. Dudek
通讯作者：
S. Schwantes;T. Florian;T. Stephan;M. Graf;V. Dudek
DOI：
10.1109/ispsd.2000.856807
发表时间：
2000-05
期刊：
12th International Symposium on Power Semiconductor Devices & ICs. Proceedings (Cat. No.00CH37094)
影响因子：
--
作者：
H. Kapels;R. Plikat-;D. Silber
通讯作者：
H. Kapels;R. Plikat-;D. Silber
DOI：
--
发表时间：
2005
期刊：
Chinese Journal of Semiconductors
影响因子：
--
作者：
Ic Design
通讯作者：
Ic Design
DOI：
10.1109/ipemc.2000.882975
发表时间：
2000-08
期刊：
Proceedings IPEMC 2000. Third International Power Electronics and Motion Control Conference (IEEE Cat. No.00EX435)
影响因子：
--
作者：
B. Jeon;D.Y. Kim;Y.S. Lee;J. Oh;M. Han;Y. Choi
通讯作者：
B. Jeon;D.Y. Kim;Y.S. Lee;J. Oh;M. Han;Y. Choi
影响因子：
2.1
作者：
S. Yun;Hong-young Chang;Min‐Sung Kang;C. Choi
通讯作者：
S. Yun;Hong-young Chang;Min‐Sung Kang;C. Choi