A ZnO/ZnMgO Multiple-Quantum-Well Ultraviolet Random Laser Diode
A ZnO/ZnMgO Multiple-Quantum-Well Ultraviolet Random Laser Diode
复制标题
ZnO/ZnMgO多量子阱紫外随机激光二极管
DOI：
10.1109/led.2010.2089424
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发表时间：
2011
影响因子：
4.9
通讯作者：
Zhao, Xingzhong
中科院分区：
文献类型：
--
作者：
Long, Hao;Fang, Guojia;Li, Songzhan;Mo, Xiaoming;Wang, Haoning;Huang, Huihui;Jiang, Qike;Wang, Jianbo;Zhao, Xingzhong
采用射频磁控溅射技术在n型GaN衬底上制备了ZnO/ZnMgO多量子阱紫外随机激光二极管。电致发光测试表明，在室温下，在足够的正偏压下，二极管显示出中心波长约为370 nm的纯紫外随机激光。尖锐激光峰的半峰全宽小于0.4nm。该器件具有4.7 A/cm 2的极低阈值电流密度和极弱的可见光发射。
A ZnO/ZnMgO multiple-quantum-well ultraviolet (UV) random laser diode was fabricated on a commercially available n-type GaN wafer using a radio frequency magnetron sputtering system. The electroluminescence measurements revealed that the diode exhibited fairly pure UV random lasing centered at ~370 nm under sufficient forward bias at room temperature. The full-widths at half-maximum of the sharp lasing peaks are less than 0.4 nm. The device has a very low threshold current density of 4.7 A/cm2 and extremely weak visible emission.
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