Efficient multisubband device simulations for nanoscaled field effect transistors including high-k dielectrics and III-V materials

它韦尔登是一种集成硅“技术助推器”，如硅锗、单轴整流器、栅极氧化物和金属栅极电流。自III-V Halbleiter韦尔登werden aufgrund ihrer exzellenten Elektronenbeweglichkeit als Kanalmaterialien in Erwägung gezogen.一个结论是III-V-PMOSFET的缺陷是由于其产生的缺陷而导致的，最终可能会与硅的缺陷一样导致中、小型韦尔登器件的缺陷。这两个项目是，开发新的MOS-Bauelemente通过系统的Untersuchung阿勒technologischen Optionen durch zuverläsouth Simulationen zu unterstützen。一个最好的模拟器，6 × 6 μ p薛定谔-，泊松-和玻尔兹曼-Gleichung为所有verzerrtes Silizium oder SiGe和beliebige Oberflächen-和Kanalorientierungen löst，soll auf den Fall von Gate materialien mit hohen dielektrischen Konstanten，metallischen Gate elektroden和III-V Halbleitern erweitert韦尔登。本文研究了具有高介电常数和6×6 μ· p薛定谔方程的门材料流模型在III-V族材料和N-Bänder族材料上的应用。玻尔兹曼-格林函数有一个新的确定性，它的有效性是蒙特-卡罗-高斯模型。在确定性试验和牛顿-拉夫森-安布尔模型的基础上，对所有三种Gleichungen进行了改进，以提高Lösungsmethode的有效性，但仍需韦尔登。即使是高频率的传输也会受到韦尔登，因此可以使用小信号分析和接收韦尔登的模型。

Seit Kurzem werden bei der Herstellung von integrierten Schaltungen aus Silizium sogenannte “Technology Boosters” wie SiGe, uniaxiale Verzerrung, Gateoxide mit hohen dielektrischen Konstanten und metallische Gateelektroden verwendet. Selbst III-V Halbleiter werden aufgrund ihrer exzellenten Elektronenbeweglichkeit als Kanalmaterialien in Erwägung gezogen. Ein Nachteil ist die schlechte Leistung der III-V-PMOSFETs bedingt durch die geringe Löcherbeweglichkeit, die eventuell mit den gleichen Mitteln verbessert werden kann wie die von Silizium. Ziel dieses Projekts ist es, die Entwicklung neuer MOS-Bauelemente durch systematische Untersuchung aller technologischen Optionen durch zuverlässige Simulationen zu unterstützen. Ein bestehender Simulator, der die 6 × 6 •p Schrödinger-, Poisson- und Boltzmann-Gleichung für allgemein verzerrtes Silizium oder SiGe und beliebige Oberflächen- und Kanalorientierungen löst, soll auf den Fall von Gatematerialien mit hohen dielektrischen Konstanten, metallischen Gateelektroden und III-V Halbleitern erweitert werden. Dies erfordert die Entwicklung von Streumodellen für Gatematerialen mit hoher dielektrischer Kontante und die Erweiterung der 6×6  • p Schrödinger-Gleichung auf III-V Materialien und N-Bänder. Die Boltzmann-Gleichung wird mit einem neuen, deterministischen Ansatz gelöst, der effizienter ist als der übliche Monte-Carlo-Algorithmus. Aufbauend auf den neusten Fortschritten bei determistischen Verfahren und einem Newton-Raphson-Ansatz für alle drei Gleichungen soll die Effizienz der Lösungsmethode weiter gesteigert werden. Damit neben dem Transport auch die Hochfrequenzeigen- schaften untersucht werden können, soll das Modell auf Kleinsignalanalyse und Rauschen erweitert werden.