Untersuchungen des elektronischen Rauschens in MOS-Transistoren

MOS晶体管电子噪声的研究

• 批准号: 5382501
• 负责人: Professor Dr.-Ing. Christoph Jungemann
• 金额: --
• 依托单位: Institut für Theoretische Elektrotechnik (ITHE)
• 依托单位国家: 德国
• 项目类别: Research Fellowships
• 财政年份: 2002
• 资助国家: 德国
• 起止时间: 2001-12-31 至 2003-12-31
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://gepris.dfg.de/gepris/projekt/5382501?language=en
• 关键词: Untersuchungen; des; elektronischen; Rauschens; MOS

Elektronisches Rauschen in MOS-Bauelementen gewinnt aufgrund der zunehmenden Miniaturisierung immer mehr an Bedeutung, so dass eine genaue Modellierung dieses Effekts als Basis für den Schaltungsentwurf immer wichtiger wird. Im Rahmen dieses Projekts soll das an der Universität Bremen entwickelte mikroskopische Rauschmodell durch Vergleich mit experimentellen Daten für Bauelemente einer aktuellen Technologiegeneration verifiziert werden, wobei die Messdaten von der Arbeitsgruppe an der Stanford Universität bereitgestellt werden sollen. Darauf aufbauend soll dann das Rauschen in Bauelementen zukünftiger Technologiegenerationen untersucht werden, um in Serie gefertigt zu werden. Für die Zukunft ist mit einer weiteren deutlichen Verkürzung der Kanallänge zu rechnen.

MOS组件中的电子Rauschen一直在梅尔和Bedeutung中支持微型化，因此一个通用的模型始终会对Schaltungsentwurf的基础效应产生影响。这个项目是不莱梅大学的一个项目，通过实验数据验证了韦尔登大学的一个实用技术生成模型，该模型是斯坦福大学的一个韦尔登大学的数据。在韦尔登的建筑工程中，建筑师们必须在韦尔登的建筑工程中使用建筑技术。Für die Zukunft ist mit einer weiteren deutlichen Verkürzung der Kanallänge zu rechnen.