Untersuchungen des elektronischen Rauschens in MOS-Transistoren

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Elektronisches Rauschen in MOS-Bauelementen gewinnt aufgrund der zunehmenden Miniaturisierung immer mehr an Bedeutung, so dass eine genaue Modellierung dieses Effekts als Basis für den Schaltungsentwurf immer wichtiger wird. Im Rahmen dieses Projekts soll das an der Universität Bremen entwickelte mikroskopische Rauschmodell durch Vergleich mit experimentellen Daten für Bauelemente einer aktuellen Technologiegeneration verifiziert werden, wobei die Messdaten von der Arbeitsgruppe an der Stanford Universität bereitgestellt werden sollen. Darauf aufbauend soll dann das Rauschen in Bauelementen zukünftiger Technologiegenerationen untersucht werden, um in Serie gefertigt zu werden. Für die Zukunft ist mit einer weiteren deutlichen Verkürzung der Kanallänge zu rechnen.