Untersuchungen des elektronischen Rauschens in MOS-Transistoren

电子科学学报（ei）： MOS-Bauelementen gengene - Modellierung - dieses effects and Basis fbr - Schaltungsentwurf - immer whichtiger wind。在Rahmen dieses项目中，solen和der Universität不来梅的entwickelte microskopische rauschmodelell durch Vergleich mit实验数据<e:2>，或Bauelemente和deraktuellen技术生成验证数据，在那里，Messdaten von derarbeitsgruppe和derstanford Universität bereitgestellt werden sollen。Darauf aufbauend soll dann das Rauschen in Bauelementen zuknftiger technologies generationen untersucht werden, um in Serie gefertigt zu werden。[4] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1] [1]

Elektronisches Rauschen in MOS-Bauelementen gewinnt aufgrund der zunehmenden Miniaturisierung immer mehr an Bedeutung, so dass eine genaue Modellierung dieses Effekts als Basis für den Schaltungsentwurf immer wichtiger wird. Im Rahmen dieses Projekts soll das an der Universität Bremen entwickelte mikroskopische Rauschmodell durch Vergleich mit experimentellen Daten für Bauelemente einer aktuellen Technologiegeneration verifiziert werden, wobei die Messdaten von der Arbeitsgruppe an der Stanford Universität bereitgestellt werden sollen. Darauf aufbauend soll dann das Rauschen in Bauelementen zukünftiger Technologiegenerationen untersucht werden, um in Serie gefertigt zu werden. Für die Zukunft ist mit einer weiteren deutlichen Verkürzung der Kanallänge zu rechnen.