课题基金 / 基金详情

STTR Phase I: A New Process for Boride Coatings for Manufacturing Applications

STTR Phase I: A New Process for Boride Coatings for Manufacturing Applications
STTR 第一阶段:用于制造应用的硼化物涂层的新工艺
批准号:
0637621
负责人:
Rabi Bhattacharya
金额:
$14.99万
依托单位:
依托单位国家:
美国
项目类别:
Standard Grant
财政年份:
2007
资助国家:
美国
项目状态:
已结题
起止时间:
2007-01-01 至 2007-12-31

项目摘要

项目成果

Rabi Bhattacharya的其他基金

相似基金

相关文献

中文摘要
翻译
该小企业技术转让(STTR)第一阶段项目旨在开发和商业化一种用于硼化物涂层的新型低温金属有机化学气相沉积技术。 过渡金属的二硼化物因其高硬度和良好的化学稳定性而非常有吸引力,并且在美国的制造业中作为耐磨和耐腐蚀涂层具有许多应用潜力。目前的物理和化学气相沉积技术没有提供在低基底温度下良好粘附的硼化物涂层的可行方法。伊利诺伊大学厄巴纳-香槟分校(UIUC)和UES,Inc。将共同开发单一来源的前体,用于在低衬底温度下沉积过渡金属硼化物涂层。 所提出的方法具有成本效益和环境友好性,因此能够应用于许多不同的行业,包括切割工具,压铸模具和插入件,平板玻璃的转移辊,化学工艺的组件,军火工业,如枪管,汽车和航空航天。
英文摘要
This Small Business Technology Transfer (STTR) Phase I project is directed toward development and commercialization of a new low temperature metal-organic chemical vapor deposition technology for boride coatings. Diborides of transition metals are very attractive for their high hardness and good chemical stability, and have potentials for many applications in the manufacturing sector in United States as wear and corrosion resistant coatings. Current technologies of physical and chemical vapor deposition do not provide a viable method of good adherent boride coating at low substrate temperature. University of Illinois at Urbana-Champaign (UIUC) and UES, Inc. will work together to develop single-source precursors for transition metal boride coatings for deposition at low substrate temperatures. The proposed method is cost-effective and environmentally friendly, thus enabling applications in many different industries that include cutting tools, die casting dies and inserts, transfer rolls for flat glass, component for chemical processes, armament industries such as gun tubes, automotive and aerospace.
期刊论文(0)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
STTR Phase II: A New Process for Boride Coatings for Manufacturing Applications
  • 批准号:
    0822598
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2008
  • 负责人:
    Rabi Bhattacharya
  • 依托单位:
SBIR Phase II: Novel Wafer Fabrication Technology for Semiconductor Sensors
  • 批准号:
    0522039
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 资助金额:
    $0.0万
  • 财政年份:
    2005
  • 负责人:
    Rabi Bhattacharya
  • 依托单位:
SBIR Phase I: Novel Wafer Fabrication Technology for Semiconductor Sensors
  • 批准号:
    0339747
  • 项目类别:
    Standard Grant
  • 资助金额:
    $9.99万
  • 财政年份:
    2004
  • 负责人:
    Rabi Bhattacharya
  • 依托单位:
Modifications of Solid Lubricating Coatings by MeV Ion Beams
国内基金
海外基金
Baryogenesis, Dark Matter and Nanohertz Gravitational Waves from a Dark Supercooled Phase Transition
  • 批准号:
    24ZR1429700
  • 项目类别:
    省市级项目
  • 资助金额:
    --
  • 批准年份:
    2024
  • 负责人:
    YUICHIRO NAKAI
  • 依托单位:
ATLAS实验探测器Phase 2升级
  • 批准号:
    11961141014
  • 项目类别:
    国际(地区)合作与交流项目
  • 资助金额:
    3350万元
  • 批准年份:
    2019
  • 负责人:
    刘衍文
  • 依托单位:
地幔含水相Phase E的温度压力稳定区域与晶体结构研究
  • 批准号:
    41802035
  • 项目类别:
    青年科学基金项目
  • 资助金额:
    12.0万元
  • 批准年份:
    2018
  • 负责人:
    张里
  • 依托单位:
基于数字增强干涉的Phase-OTDR高灵敏度定量测量技术研究