Elektronische Transporteigenschaften von ultradünnen und ultrakleinen, metallischen Nanodrähten und Nanokontakten

EinDimsionale Systeme MIT ihren Neuartigen Eigenschaften könnnen Nur endch zwei-and dreiDimsionale Stabilisierung Examentell Zugänglich giacht den，D.H.Für deren Beobachtung is die Unterdrükücung in härenter inhärenter instablitäten durch kontrollierte Einbettung essentiell，die den eigentlicchen 1D Charakter der Strukur Zwar beeflusst，ihn aber niht zerst zerstören soll.在这项工程中，我们以超空间和超空间的形式，以超空间和超空间的形式，研究和研究了超空间和超空间空间系统，并在此基础上研究了空间和空间的结构特征。使用Verwendung Zweier Materialklassen(Siliziddrähte und DrahtenSemble Wie Wie/Si(111)and Pb/Si(557))在Kombination MIT进行原位光刻和操作，包括：Einflüsse von Imperfektionen，Inhärenten elektronischen Stablitäten，Bandfüllugen，Elektron-phon Streuung，Sowie der Efluss von衬底at Ketten and Ketten Wechselwirkung untersuht。4-Spitzen-STM/SEM-Kombination MIT Variable er Probentemperatur erlabt die verschiedenen Draht-Strukturen selektiv zu wachsen，zu charakterisieren and inbebeondere finiert zu kontaktieren.在此基础上，提出了一种新技术，即STM(STM)、STS(STS)和STP(STP)das Wissen nber das ZusammenSpiel von lokalen Eigenschaften and deren Auswirkung auf räumlich auggedehnte，oberflächenempfindliche proportMessungen is difikant zu verssern。

Eindimensionale Systeme mit ihren neuartigen Eigenschaften können nur durch zwei- und dreidimensionale Stabilisierung experimentell zugänglich gemacht werden, d.h. für deren Beobachtung ist die Unterdrückung inhärenter Instabilitäten durch kontrollierte Einbettung essentiell, die den eigentlichen 1d Charakter der Struktur zwar beeinflusst, ihn aber nicht zerstören soll. In diesem Projekt soll speziell das elektronische Transportverhalten der Realisierung von quasi-1d Systemen in Form von ultradünnen und ultrakleinen, metallischen Nanodrähten, gewachsen auf definierten Si-Oberflächen, studiert und mit den strukturellen Eigenschaften auf atomarer Skala korreliert werden. Durch Verwendung zweier Materialklassen (Siliziddrähte und Drahtensembles wie In/Si(111) und Pb/Si(557)) in Kombination mit in-situ Lithographie und Manipulation werden gezielt die Einflüsse von Imperfektionen, inhärenten elektronischen Instabilitäten, Bandfüllungen, Elektron-Phonon Streuung, sowie der Einfluss von Substrat und Ketten-Ketten Wechselwirkung untersucht. Die Verwendung einer 4-Spitzen-STM/SEM-Kombination mit variabler Probentemperatur erlaubt die verschiedenen Draht-Strukturen selektiv zu wachsen, zu charakterisieren und insbesondere definiert zu kontaktieren. Ziel ist, durch die Kombination von lokaler Mikroskopie (STM), Spektroskopie (STS) und Potentiometrie (STP) das Wissen über das Zusammenspiel von lokalen Eigenschaften und deren Auswirkung auf räumlich ausgedehnte, oberflächenempfindliche Transportmessungen signifikant zu verbessern.