Diagnostik von mit Elektronencyclotron-Resonanz angeregten Höchstdichte-Plasmen und ihre Wechselwirkung mit Metallen und III/V-Halbleitern

在过去的几年里，统计的磁场法对电子回旋共振(ECR)的影响很大，这是因为它是一种工业生产。在反应离子刻蚀技术(RIE-反应离子刻蚀)下，通常是在FlüchTiger Verbindungen eingetzt(RIE反应离子刻蚀)下进行等离子体刻蚀。这是一种新的技术和技术，它是一种新的技术和技术，它是一种新的技术和技术。这是一种新型的磁化等离子技术，它以氯化和三氯化硼的形式存在，因此不能用于生产、生产和销售。他说：“这是一项重大的工程，也是一项重要的工程，也是一项重要的工作。因此，我们可以在MIT的Einem程序中模拟Strukturierung和MIT的塑料模型。

Durch Einkopplung von Mikrowellen in Anwesenheit eines statischen Magnetfeldes werden mit dem Effekt der Elektronencyclotronresonanz (ECR) bedeutend höhere Plasmadichten als bei induktiver Kopplung erreicht. Die so generierten Plasmen reaktiver Gase werden in der Mikrostrukturtechnik zur reaktiven Trockenstrukturierung unter Freisetzung flüchtiger Verbindungen eingesetzt (RIE - Reactive Ion Etching). Zur Bestimmung zahlreicher Charakteristika dieser Festkörperreaktionen, für die das synergetische Verhalten physikalischer und chemischer Effekte typisch ist, ist es notwendig, die Reaktivität des Plasmas zu kennen, die durch eine Reihe von Plasmakenngrößen wie die Plasmadichte und Temperatur der Elektronen bestimmt wird. Diese sind aber für magnetisierte Plasmen reaktiver Gase wie Chlor und Bortrichlorid und insbesondere ihrer Gemische weitgehend unbekannt, insbesondere ihre örtliche Abhängigkeit zwischen ECR-Zone und Substratniveau. Ziel dieses Projektes ist es daher, diese Parameter und deren Einfluss auf die Reaktionskinetik von metallbeschichteten Substraten, aber auch von III/V-Halbleitern, zu untersuchen. Die so erhaltenen Inertialdatensätze werden mit einem Programm zur Simulation der Strukturierung mit hochreaktiven Plasmen modelliert.