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Fabrication of graphene nanostructures and correlation to electronic properties

Fabrication of graphene nanostructures and correlation to electronic properties
石墨烯纳米结构的制造及其与电子性能的相关性
批准号：
23246014
负责人：
TANAKA Satoru
金额：
$31.95万
依托单位：
Kyushu University
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
财政年份：
2011
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2011-04-01 至 2014-03-31
来源：
https://kaken.nii.ac.jp/en/grant/KAKENHI-PROJECT-23246014/
关键词：
グラフェンナノ構造ナノリボンバンドギャップエピタキシー電子状態表面制御

项目摘要

项目成果

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中文摘要
翻译
石墨烯是一种终极的2D形式的材料，因此因其独特的纳米性质而受到关注。然而，它没有带隙，因此无法申请开关设备。因此，带隙打开是一个重要的问题。人们已经报道了许多打开带隙的方法，其中纳米带因其形成的带隙相对较大而被公认为尤为重要。我们尝试在包括周期性阶梯/梯形结构的碳化硅纳米表面选择性生长石墨烯，并成功地形成了石墨烯纳米带。研究了K点的电子结构，发现有明显的带隙开放。
英文摘要
Graphene is an ultimate 2D form of material and thus has been noticed in terms of its unique nano properties. However, it has no band-gap and thus is unable to apply for switching devices. Therefore, band-gap opening is a significant issue for this purpose. Many methods have been reported to open band-gap and among them nanoribbons are recognized to be especially important because of relatively large gap formation. We here tried to selectively grow graphene on SiC nano-surfaces, including periodic step/terrace structures, and succeeded in graphene nano ribbon formation. Electronic structures at K-points were examined and found clear band-gap opening.
期刊论文(22)
专著(0)
科研奖励(0)
会议论文
Graphene nanoribbonson vicinal SiC surfaces
邻位 SiC 表面的石墨烯纳米带
DOI： --
发表时间： 2011
期刊：
影响因子： --
作者： [梶原隆司, 栗栖悠輔, 田中悟, 瀧宮和男, 田中悟]
通讯作者： 田中悟
A Raman imaging study of growth process of few-layer epitaxial graphene on vicinal 6H–SiC
邻位6H-SiC上少层外延石墨烯生长过程的拉曼成像研究
DOI： 10.1016/j.diamond.2012.02.017
发表时间： 2012
期刊： Diamond & Related Materials
影响因子： 4.1
作者： [若本恵佑, 中川俊一郎, 瀬木利夫, 青木学聡，松尾二郎, S. Kamoi]
通讯作者： S. Kamoi
Bandgap Opening on Graphene Nanoribbons Grown on Vicinal 6H- and 4H-SiC Surfaces by Molecular Beam Epitaxy
通过分子束外延在邻位 6H 和 4H-SiC 表面生长的石墨烯纳米带上的带隙开口
DOI： --
发表时间： 2013
期刊：
影响因子： --
作者： [T.Kajiwara, et al.]
通讯作者： et al.
Graphene Growth on SiC Nanofacet Surfaces by Chemical Vapor Deposition
通过化学气相沉积在 SiC 纳米表面上生长石墨烯
DOI： --
发表时间： 2012
期刊：
影响因子： --
作者： [E.J.Takahashi, P.Lan, and K.Midorikawa, M.Hashimoto, S. Nakagawa, 瀧宮和男, 多々良涼一, Y. Hagihara]
通讯作者： Y. Hagihara
共 25 条
    Transformation of Contemporary South Korean Funerary Culture from the 1990s and on
    • 批准号：
      25370071
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
    • 资助金额：
      $3.08万
    • 财政年份：
      2013
    • 负责人：
      TANAKA Satoru
    • 依托单位：
      Kobe University
    Heteroepitaxy of III-nitride thin films with ultra low defect density
    • 批准号：
      23656020
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      TANAKA Satoru
    • 依托单位：
      Kyushu University
    Multi-scale/multi-physics modeling of long-term evolution of material properties in solid breeding materials
    • 批准号：
      23246161
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Scientific Research (A)
    • 资助金额：
      $30.37万
    • 财政年份：
      2011
    • 负责人：
      TANAKA Satoru
    • 依托单位：
      The University of Tokyo
    A Study on the View of the world Formed through the Dead: Focusing on "National Cemetery"
    • 批准号：
      22720027
    • 项目类别：
      Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
    • 资助金额：
      $2.5万
    • 财政年份：
      2010
    • 负责人：
      TANAKA Satoru
    • 依托单位：
      Kobe University
    海外基金