Amorphe Suboxide des Siliziums: Elektronische Eigenschaften und Anwendungen in der integrierten Optik

这篇论文的主要内容是硅氧化物的基本结构和电子特性在光电子学中的应用，包括硅基发光二极管。在欠氧化和欠氧化条件下的局部破坏的差别、能量拉格和载荷，都是由于润滑油的一般韦尔登作用，这是一个非常重要的参数，可用于对润滑油进行数值模拟。Die Ergebnisse sollen auch eine Abschätzung der Dotiereffizienz in den Suboxiden ermöglichen and deren Zusammenhang mit der mittleren Coordinationszahl aufklären.光诱导亚稳定性（skeleton und vektoriell（polarisationsabhängig））解决了韦尔登的功能问题。在低氧化物中的铒离子注入是一种不间断的Sauerstoffanteil和damit Bandlücke eingebracht韦尔登。Die Photolumineszenz- bzw. Er-dotierter Schichten和Dioden sollen als Funktion der Er-Konzentration und der Temperatur gemessen and die Er-Lumineszenzentrensität bei Zimmertemperatur soll geignet optimiert韦尔登.在a-Si：H/a-SiOx布拉格反射镜谐振腔中集成Er-dotierten Schichten器件，可获得Er-Emission的另一个测试结果。

Dieser Verlängerungsantrag dient dem wissenschaftlichen Abschluß der laufenden Arbeiten zu grundlegenden strukturellen und elektronischen Eigenschaften von Silizium-Suboxiden sowie zu deren Anwendungen in der Optoelektronik, insbesondere als Leuchtdioden auf Siliziumbasis. Die Dichte, die energetische Lage und der Ladungszustand von lokalisierten Defekten in undotierten und dotierten Suboxiden soll als Funktion des Sauerstoffgehaltes genauer untersucht werden, um so wichtige Parameter für die numerische Simulation der Diodenkennlinien zu überprüfen und abzustimmen. Die Ergebnisse sollen auch eine Abschätzung der Dotiereffizienz in den Suboxiden ermöglichen und deren Zusammenhang mit der mittleren Koordinationszahl aufklären. Licht-induzierte Metastabilitäten (skalar und vektoriell (polarisationsabhängig) sollen ebenfalls als Funktion des Sauerstoffgehaltes untersucht werden. Durch Implantation soll Erbium in Suboxide mit unterschiedlichem Sauerstoffanteil und damit Bandlücke eingebracht werden. Die Photolumineszenz- bzw. Elektrolumineszenzeigenschaften Er-dotierter Schichten und Dioden sollen als Funktion der Er-Konzentration und der Temperatur gemessen und die Er-Lumineszenzintensität bei Zimmertemperatur soll geeignet optimiert werden. Die Integration der Er-dotierten Schichten in einen Resonator mit a-Si:H/a-SiOx Bragg-Spiegeln soll eine weitere Verstärkung der Er-Emission bewirken.