Neuartige Konzepte für II-VI-basierte Halbleiterlaser für den grünen Spektralbereich

限制Lebensdauer Herkömlicher，Grün Exittierender II-VI Laserdioden，well che hauptsächlich auch die sgenannten“Dark Line Defect”Bauelemente，erfordert die system sche weiterentwickung der von uns uns ersten Förderzeitraum neu entworfenen konzepte zur Herstellung langlebiger Bauelemente。在此基础上，我们将为您提供最好的服务，为您提供服务。Künftig ist der Efluüder Dicke Sowie die Diffulation des LithiumNitrids and der Damit Verundenen Veränderungen in der Probenstrukut zu Erklären.在位于Zusammenarbeit的MIT dem FerdinandBraun-Institut Sollen Laserdioden MIT einer Lebensdauer im Raumtematur-Dauerstrahbetrieb von deutlich Mehr ALS 50h hersterellt.从不来梅大学到德国不来梅大学。AUF基础DES锌镁镉SeTe-材料系统uf InP-衬底SOLLEN p/n-Strukturen and LED Mittels MOCVD hersterellt den.我是Gegensatz zu DEM锌镁合金/砷化镓-材料体系，这是一种新型的InP-衬底材料。他说：“我不知道你的名字是什么。”最优的介质

Die limitierte Lebensdauer herkömmlicher, grün emittierender II-VI Laserdioden, welche hauptsächlich durch die sogenannten "Dark Line Defects" bedingt ist, erfordert die systematische Weiterentwicklung der von uns im ersten Förderzeitraum neu entworfenen Konzepte zur Herstellung langlebiger Bauelemente. Die von uns bisher an ZnSe-basierten Laserdioden erzielten Lebensdauerverlängerungen um mehr als das 20-fache, welche maßgeblich durch die Entwicklung eines lithiumnitridhaltigen Kontakts beeinflußt wurden, bedürfen einer weiteren Optimierung. Künftig ist der Einfluß der Dicke sowie die Diffusion des Lithiumnitrids und der damit verbundenen Veränderungen in der Probenstruktur zu erklären. In Kombination mit der Verbesserung des Aufbaus der Bauelemente in Zusammenarbeit mit dem FerdinandBraun-Institut sollen Laserdioden mit einer Lebensdauer im Raumtemperatur-Dauerstrichbetrieb von deutlich mehr als 50 h hergestellt werden. Die MBE-Schichten hierfür werden von der Universität Bremen zur Verfügung gestellt. Auf Basis des ZnMgCdSeTe-Materialsystems auf InP-Substrat sollen p/n-Strukturen und LEDs mittels MOCVD hergestellt werden. Im Gegensatz zu dem ZnMgSSe/GaAs-Materialsystem, ist auf InP-Substrat die Beimengung von Te zur Gitteranpassung notwendig. Dies erleichtert die P-Dotierung wesentlich. Zur Optimierung des aktiven Mediums sollen die Ergebnisse zur Herstellung von CdSe-Quantenpunkten in ZnSSE-Matrix auf GaAs-Substrat eine wichtige Grundlage bilden.