Spektroskopische Untersuchungen von III-V Nitriden in extremen Magnetfeldern

III-V氮化物基半导体，如z.B.氮化镓（GaN）是一种用于蓝色、紫色和紫外线激光器的辅助材料，在Festkörperphysik geworden的内部具有重要意义。科学和技术的共同利益是能源结构细节的实验数据，如z.B.这是一个非常有效的群体。一个有指导作用的团队在很高的磁场中对回旋共振（CR）进行了研究，而在很高的专业化劳动力中，所有的世界都是如此，就像在VNIIEF（萨罗夫）和HU（柏林）的Beispiel一样。Im Rahmen des vorliegenden Projektes sollen die an diesen beiden Einrichtungen vorhandenen experimentellen Möglichkeiten gebündelt韦尔登，um：-在Feldern进行的CR-试验，试验时间为800 T，-在Wurzit和Zinklblendestruktur实验中对GaN的能带结构进行了研究，-在Wurzit-GaN中有效质量的各向异性，镓-氮氧化物异质结晶体中回旋共振增强的理论研究@ entell zu verifizieren.

III-V Verbindungs-Halbleiter auf Nitrid-Basis, wie z.B. Galliumnitrid (GaN) sind aufgrund ihrer technologischen Anwendbarkeit als Ausgangsmaterial für die Herstellung von Laserdioden im blauen, violetten und ultravioletten Spektralbereich zu einem äußerst interessanten Untersuchungsgegenstand innerhalb der Festkörperphysik geworden. Von besonderem wissenschaftlichem und technologischem Interesse sind experimentelle Daten zu Details der Energiebandstruktur, wie z.B. der effektiven Masse von Ladungsträgern. Einen direkten Zugang hierzu liefert die Untersuchung der Zyklotronresonanz (CR) in sehr hohen Magnetfeldern, die allerdings weltweit nur in sehr wenigen hochspezialisierten Labors, wie zum Beispiel am VNIIEF (Sarov) und an der HU (Berlin) verfügbar sind. Im Rahmen des vorliegenden Projektes sollen die an diesen beiden Einrichtungen vorhandenen experimentellen Möglichkeiten gebündelt werden, um:-erstmalig CR-Experimente in Feldern bis 800 T durchführen zu können,-Unterschiede der Energiebandstruktur von GaN in der Wurzit- und in der Zinklblendestruktur experimentell zu erfassen,-die Anisotropie der effektiven Masse von Löchern in Wurzit-GaN zu untersuchen,-die theoretisch vorhergesagte Aufspaltung der Zyklotronresonanz in Gallium-Aluminiumnitrid-Heterostrukturen experimentell zu verifizieren.