Evaluation of photoemission data in the framework of a layered KKR-method

从现在开始，我们将继续进行摄影技术的研究。这是一种新型的光发射技术，它以电子技术为基础，以技术为基础。化学、结构和磁性或结构的变化，OberfläChen-und Grizflächenzustände wird erfa？t，and Diffraktion der Photoelektronen wird Birdück sichtigt？Das Verfahren soll zur zur Ausfahren winkelaufelöster Photoemens Spektren and zur Berechnung von Fermiflächen von epetaktischen Seltenerd-und Urandünschichten auf verschiedenen einkristallinen Substrten，准zweiDimisonalen EinlagerungschichtVerdindungen Seltener Erden in Graphit andúberegangMeta-all-Dichalkgenide Sowie Mn/Cu-Multilgen eingesetzden.Schwerpenkte sind dabe die Untersuung von“Quantum-well”-and Grizflächenzuständen，Fermiflächenmap Sowie Photoelektrontron Diffraktionseffecte be Emission Aus elektronischen Zuständen im Grizbereich zwichen lokalisiertem and artigem Verhalten。

Gegenstand des Projektes ist die Auswertung winkelaufgelöster Photoemissionsdaten auf der Grundlage eines Schicht-KKR-Verfahrens. Das Verfahren erlaubt eine direkte Berechnung von Photoemissionsspektren im Sinne eines Einstufenmodells, indem sukzessive Elektronenstreuung an Einzelatomen, zweidimensionalen Schichten, zwischen den Schichten und am Oberflächenpotential betrachtet wird. Chemische Zusammensetzung, Struktur und magnetische Ordnung können dabei von Schicht zu Schicht variieren, Oberflächen- und Grenzflächenzustände werden erfaßt, und Diffraktion der Photoelektronen wird berücksichtigt. Das Verfahren soll zur Auswertung winkelaufgelöster Photoemissionsspektren und zur Berechnung von Fermiflächen von epitaktischen Seltenerd- und Urandünnschichten auf verschiedenen einkristallinen Substraten, quasi-zweidimenisonalen Einlagerungschichtverbindungen Seltener Erden in Graphit und Übergangmetall-Dichalkogenide sowie Mn/Cu-Multilagen eingesetzt werden. Schwerpunkte sind dabei die Untersuchung von "Quantum-well"- und Grenzflächenzuständen, Fermiflächenmapping sowie Photoelektronendiffraktionseffekte bei Emission aus elektronischen Zuständen im Grenzbereich zwischen lokalisiertem und bandartigem Verhalten.