Einsatz der Surfactant- Modifizierten-Epitaxie zur Herstellung neuartiger Ge/Si Heterostruktur-Bauelemente

表面改性外延（SME）弛豫单晶锗衬底直接在硅衬底上进行，因此，在表面活性剂（Sb）-半导体控制下，最大电子霍尔效应为3500 cm²/Vs。这种锗Schichten可以在硅衬底上使用锗MOSFET。这种晶体管可以使最高的Löcher-Kanal-MOSFET器件具有硅基的p-Kanal-MOSFET器件，并且可以使双极晶体管具有更高的反射率。这是一种具有高Ge量子阱的异质结构-非线性耦合器（MODFFFET）的最早的调制方法，它可以在硅衬底上的Si-赝衬底上的SME衬底上弛豫。在项目初期，通过对异质结构的研究，以及在沃登中对建筑构件进行的特殊设计，解决了项目设计中存在的问题，即对高性能建筑构件进行韦尔登评价的电气特性和潜力。

Die Surfactant-Modifizierte Epitaxie (SME) relaxierter monokristalliner Ge-Schichten direkt auf Siliziumsubstraten wurde weiter verbessert, so daß Elektronen-Hallbeweglichkeiten bis 3500 cm²/Vs bei Surfactant (Sb)-Hintergrunddotierungen kontrolliert erreicht wurden. Mit diesen Ge-Schichten wurden weltweit erstmals Germanium-MOSFETs auf Siliziumsubstraten hergestellt. Diese Transistoren erzielten die höchsten Löcher-Kanalbeweglichkeiten aller bis dahin publizierten p-Kanal-MOSFETs auf Silizium-Basis und übertrafen damit die bisherigen Rekordwerte etwa um das Doppelte. Das Ziel des Verlängerungsantrags ist die erstmalige Herstellung modulationsdotierter Heterostruktur-Feldeffekttranistoren (MODFETs) mit hochbeweglichen verspannten Ge-Quanten-Well-Kanälen, die in dünne relaxierte, mit Hilfe der SME gewachsene GeSi-Pseudosubstratschichten auf Silizium eingebettet sind. Nachdem in der laufenden Projektperiode die epitaktischen Wachstumsverfahren für die erforderlichen Heteroschichtstrukturen und die einzelnen Schritte zur Bauelementprozessierung im wesentlichen erarbeitet worden sind, sollen zum Abschluß des Projekts die geplanten Germanium-Kanal-MODFETs hergestellt, elektrisch charakterisiert und ihr Potential als Hochgeschwindigkeits-Bauelemente evaluiert werden.