Strukturelle Charakterisierung von elektrisch und optisch wirksamen Punktdefekten in Siliziumkarbid unterschiedlicher Polytypen

Siliziumkarbid is ein vielversprechender Werkstoff für die Leistungselektronik.第一个孩子是可以实现的。除了大规模的生产外，还有一个技术上的问题，那就是通过增加对Punktdefekten Verbunden的支持。这一项目的成功是因为德国的知识水平远远落后于其他国家。利用电子束辐射和离子注入（He+和Dotanden）技术（正电子湮没和DLTS），在韦尔登中，可以获得外延生长的SiC-Schichten，也可以获得生长态的SiC-Einkristallen。在此基础上，提出了一种方法，该方法结合了韦尔登详细的缺陷教育、缺陷治疗和缺陷分类的识别方法。在韦尔登温度较高的情况下，植入缺陷的最小化将导致缺陷的产生。

Siliziumkarbid ist ein vielversprechender Werkstoff für die Leistungselektronik. Erste Bauelemente wurden bereits realisiert. Bis zu seiner massenhaften Verbreitung sind jedoch noch wichtige technologische Probleme zu lösen, von denen die meisten mit dem Auftreten von Punktdefekten verbunden sind. Das beantragte Projekt stellt sich zum Ziel, das gesicherte Wissen speziell von leerstellenartigen Defekten deutlich auszudehnen. Dazu sollen korrelierte Experimente mit Hilfe verschiedener Techniken (vorwiegend Positronenannihilation und DLTS) vor allem an epitaktischen SiC-Schichten, aber auch an SiC-Einkristallen im as-grown-Zustand, nach Elektronenbestrahlung und nach Ionenimplantation (He+ und Dotanden) durchgeführt werden. Durch die spezifischen Aussagemöglichkeiten dieser Methodenkombination zur Identifizierung speziell von leerstellenartigen Defekten werden detaillierte Aussagen zur Defektbildung, zu Defektreaktionen und zur Ausheilung dieser Defektklasse erwartet. Zur Minimierung von Implantationsdefekten soll die Defektgeneration bei hohen Wafertemperaturen studiert werden.