Diagnostik von kompakten Funktions- und Konstruktionswerkstoffen mittels multifunktionaler Mikrobeugung

我是拉赫曼，我的观点是，我的观点是，ungelöste问题是“verdrehten Netzebenen”和geklärt werden。Hierzu werden erstmalig tiefenaufgelöste Defektuntersuchungen (pseudokossel - technik) mit hochortsaufgelöster orientierungsestimung (EBSP) bei gleichzeitiger Messung der Eigenspannung and der Versetzungsdichte (wechselseitiger Einsatz beider komplementärer Methoden in einem REM) kombiniert。Diese Verzahnung ist in wesentliches methodisches Ziel des projects and ist analysis überfällig。[m] [orientierungen von wenigen zehntel][移民与扩散]。Die Nutzung der EBSP-Technik allein reicht deshibbei aus genauigkeitsgrnden nden nicht mehr aus。Mit Hilfe der im beantragten System integrererbaren pseudokossel - technik läßt sich der großflächige Nachweis richtungsabhängiger Änderungen der defktstruktur begleichzeittiger Quantifizierung des me ß ßsignals and wafer der microelektronik (z.b.g etrennte bestimingder Realstruktur von substrate and epitaxeschechht and GaAs) realisieren。在二维衍射问题中，两种传统的衍射仪涉及到特征跨越和梯度跨越的问题，首先分析了特征跨越和梯度跨越的问题，然后分析了特征跨越和梯度跨越的问题，最后分析了特征跨越和梯度跨越的问题。Gradientenwerkstoffen。

Im Rahmen dieses Antrages soll das bisher ungelöste Problem der "verdrehten Netzebenen" an Be geklärt werden. Hierzu werden erstmalig tiefenaufgelöste Defektuntersuchungen (Pseudo-KOSSEL-Technik) mit hochortsaufgelöster Orientierungsbestimmung (EBSP) bei gleichzeitiger Messung der Eigenspannung und der Versetzungsdichte (wechselseitiger Einsatz beider komplementärer Methoden in einem REM) kombiniert. Diese Verzahnung ist ein wesentliches methodisches Ziel des Projektes und ist analytisch überfällig. Mißorientierungen von wenigen zehntel Grad beeinflussen entscheidend die Migrations- und Diffusionsprozesse. Die Nutzung der EBSP-Technik allein reicht deshalb hierbei aus Genauigkeitsgründen nicht mehr aus. Mit Hilfe der im beantragten System integrierbaren Pseudo-KOSSEL-Technik läßt sich der großflächige Nachweis richtungsabhängiger Änderungen der Defektstruktur bei gleichzeitiger Quantifizierung des Meßsignals an Wafern der Mikroelektronik (z.B. getrennte Bestimmung der Realstruktur von Substrat und Epitaxieschicht an GaAs) realisieren. Ein weiteres Untersuchungsproblem, wo konventionelle Diffraktometerverfahren infolge des hohen Eigenspannungsgradienten bisher versagten, ist die Analyse der Eigenspannungsverteilung und/oder die Ermittlung des spannungsfreien Zustandes (neu) von beidseitig beschichteten FeSi3-Trafoblechen im Querschliff in der Umgebung von Schnittkanten bzw. Gradientenwerkstoffen.