Neue Materialien für epitaktische Gate-Isolator-Strukturen auf Silizium

[2][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][1][2][1][1][1][1][1]。Auf Si epitaktisch gewachene单晶Dielektrika sind - hierf<s:1> r .a. wegen der erwarteten gnstigen Grenzflächeneigenschaften [j] . interessant。Das Ziel des forschungsvohabens - 1 .在mos - bauelements中使用的BaO-SrO和网关隔离器。在德国西部工程时期，我们的研究对象是德国工程师，德国工程师是德国工程师，德国工程师是德国工程师。Die Grenzfläche ist hierbei atomic scharf und frei von störenden SiO2 Zwischenschichten。Die Leitungs- und Valenzband- Barrieren zum Si von 1.0 und 2.2 eV sind fr - Die Verwendung als Gateisolator gnstig。Erste Messungen和测试- mos - kondensatoren的无定子氧化铁和氧化铁之间的关系研究了无定子氧化铁和氧化铁之间的有效关系Leckströme。在der Fortsetzung des Projektes sollen - einem verbesserten Prozess MOS-Kondensatoren和mostrisoren， dem epitaktischen mischoxen和zum Vergleich中，mit den amorphen BaO-SrO mischoiden，她的gestellt和电特性的研究。在mos - bauelementementermittelt werden中，也可以用“栅格隔离”来表示。

Die fortschreitende Reduktion der minimalen Transistorabmessungen in der CMOSTechnologie erfordert in wenigen Jahren den Ersatz des Gateisolators Siliziumdioxid durch neue Materialien mit wesentlich höheren Dielektrizitätskonstanten (e) und geringeren Leckströmen. Auf Si epitaktisch gewachsene monokristalline Dielektrika sind hierfür u.a. wegen der erwarteten günstigen Grenzflächeneigenschaften besonders interessant. Das Ziel des Forschungsvorhabens ist die Untersuchung der Ersetzbarkeit der hoch-e Mischoxide BaO-SrO als Gateisolator in MOS-Bauelementen. In der ersten Projektperiode ist es mit einem speziellen Wachstumsverfahren gelungen, ein Mischoxid perfekt gitterangepasst epitaktisch auf Silizium aufzuwachsen. Die Grenzfläche ist hierbei atomar scharf und frei von störenden SiO2 Zwischenschichten. Die Leitungs- und Valenzband- Barrieren zum Si von 1.0 und 2.2 eV sind für die Verwendung als Gateisolator günstig. Erste Messungen an Test-MOS-Kondensatoren mit amorphen Oxiden ergaben ausreichend hohe effektive e der amorphen Mischoxide und niedrige Leckströme. In der Fortsetzung des Projektes sollen mit einem verbesserten Prozess MOS-Kondensatoren und MOSTransistoren mit dem epitaktischen Mischoxid und zum Vergleich auch mit den amorphen BaO-SrO Mischoxiden hergestellt und elektrisch charakterisiert werden. Als wesentliches Ergebnis sollen die erreichbaren elektrischen Eigenschaften und die technologische Ersetzbarkeit dieser Oxide als Gateisolatoren in MOS-Bauelementen ermittelt werden.