Geometrische Struktur von verborgenen Grenzflächen

这需要光电转换来分析内部结构和外部韦尔登。在光电子的澳大利亚自由贸易区的基础上，他们将在20层以上的实验室进行一次试验。通过韦尔登（111）系统抗干扰解决方案。Die Struktur an der Oberfläche soll mit der niederenergetischen Elektronenbeugung（LEED）bestimmt韦尔登，indem die Intensitäten der LEED-Reflexe aufgenommen und ausgewertet韦尔登.该元件的特性可通过XPS定量分析确定。从信息处可以看到锑的存在，并在上方的地板上脱落。Oberfläche下面的结构可以通过实验和模拟光电转换数据来完成韦尔登。在第二个项目中，安提蒙的设计和控制都是在硅的生长过程中进行的。Hierfür韦尔登Präparationsparameter und Oberflächeneigenschaften（Rauhigkeit，Orientierung，Stufeneigente）variiert.这是一个非常重要的韦尔登，它可以通过结构的调整和上翼的调整来完成韦尔登的准备工作。

Es soll die Photoelektronenbeugung zur Analyse von inneren Strukturen eingesetzt und weiterentwickelt werden. Aufgrund der mittleren freien Austrittstiefe der Photoelektronen ist mit ihr ein Bereich bis zu einer Tiefe von etwa 20 Lagen unter der Oberfläche experimentell zugänglich. Die Untersuchungen sollen am System Antimon auf Silizium(111) durchgeführt werden. Die Struktur an der Oberfläche soll mit der niederenergetischen Elektronenbeugung (LEED) bestimmt werden, indem die Intensitäten der LEED-Reflexe aufgenommen und ausgewertet werden. Die Element-spezifische Verteilung an der Oberfläche kann aus quantitativem XPS erfolgen. Aus beiden Informationen zusammen läßt sich die Antimonmenge an und unter der Oberfläche abschätzen. Die Struktur unter der Oberfläche kann durch den Vergleich von experimentellen und simulierten Photoelektronenbeugungsdaten ermittelt werden. Im zweiten Teil des Projektes ist der gesteuerte und kontrollierte Einbau von Antimon in die obersten Lagen vom Silizium geplant. Hierfür werden Präparationsparameter und Oberflächeneigenschaften (Rauhigkeit, Orientierung, Stufendichte) variiert. Es soll untersucht werden, ob durch den Zusammenhang zwischen Strukturen an und unter der Oberfläche eine gezielte Präparation unter der Oberfläche erreicht werden kann.