Polarisationseffekte in organischen Halbleiterschichten und an deren Grenzflächen

Gegenstand dieses Vorhabens sind elektronische Grenzflächeneigenschaften组织者Schichten。大北stehen金属酞菁在Mittelpunkt。金属原子与金属原子的相互作用是金属原子与金属原子之间的相互作用。desweteren solder sondencharter von pc - moleklen, desweteren Beispiel von fluororierpcs f<s:1>， desweteren Ausmessen der Potentiale和Grenzflächen wetersucht und genutzt werden。<s:1> systematische Untersuchungen wid in Fortsetzungsantrag die Reaktivität and Polarisierbarkeit des Substrates variiert sowie zentrale Metallatom and damit die Zahl der d-Elektronen。电子结构与约束的特性分析方法与结构与约束方法与结构与约束方法与结构与约束方法与结构与约束方法与结构与约束方法与结构与约束方法与结构与约束方法与结构与约束方法与结构与约束方法与结构与约束方法。Damit - sit - sit - sit - sit - sit - sit - sit - sit - sit - sit - sit - sit - sit - sit - sit - sit - sit - sit - sitinsbesonere和Grenzflächen组织者Halbleiter zu Metallen kanes zu deutlichen Änderungen der polarationsenerggie kommen， die die Ladungsträgerinjektion in Bauelementen beinflist。Beiträge der Grenzflächen zur elektronischen Schichtsystemen werden durch einen Vergleich der energetischen Verschiebungen von Photoelektronen- (Ein-Loch- Endzustände) and augerlinen (Zwei-Loch-Endzustände) zugänglich sind。

Gegenstand dieses Vorhabens sind elektronische Grenzflächeneigenschaften organischer Schichten. Dabei stehen Metall-Phthalocyanine im Mittelpunkt. Ziel des Projektes ist es, die Natur der Wechselwirkung des Metallatoms mit verschiedenen Substraten besser zu verstehen. Desweiteren soll der Sondencharakter von Pc-Molekülen, insbesondere am Beispiel von fluorierten Pcs für das lokale Ausmessen der Potentiale an Grenzflächen weiter untersucht und genutzt werden. Für systematische Untersuchungen wird im Fortsetzungsantrag die Reaktivität und Polarisierbarkeit des Substrates variiert sowie das zentrale Metallatom und damit die Zahl der d-Elektronen. Die Untersuchungsmethoden zur Charakterisierung der elektronischen Struktur und Bindung an den Oberflächen und organischen Schichten sind vor allem Elektronenspektroskopien und Röntgenabsorption. Damit sind sowohl besetzte als auch unbesetzte elektronische Zustände zugänglich. Insbesondere an Grenzflächen organischer Halbleiter zu Metallen kann es zu deutlichen Änderungen der Polarisationsenergie kommen, die die Ladungsträgerinjektion in Bauelementen beeinflusst. Beiträge der Grenzflächen zur elektronischen Polarisation in Schichtsystemen werden durch einen Vergleich der energetischen Verschiebungen von Photoelektronen- (Ein-Loch- Endzustände) und Augerlinien (Zwei-Loch-Endzustände) zugänglich sind.