Elektronische Eigenschaften von anionen-substituiertem ZnO

在项目中，ZnOxS1-x混合混合材料具有较强的结构特性，电子特性和光学特性，不具有较强的结构特性，不具有较强的结构特性，具有较强的结构特性。Die Präparation der Schichten erfolgt mittelels射频和低频溅射技术（CVD）。晶振与晶振参数计算公式Röntgendiffraktometrie (J-2J, Rocking)，晶振与晶振计算公式Änderungen in den elektronischen Eigenschaften (Bandstruktur) mittel /光电光谱计算公式（XPS， UPS）。Elektrische (Hall) Meßverfahren和magnetische Resonanz-Methoden (EPR， ENDOR) werden zur定性和定量Störstellenanalyse eingesetzt。在Zusammenarbeit mit den Projekten der Arbeitsgruppen von Janek教授（PC, Gießen）和Binnewies教授（AC, Hannover）的研究中，研究了基于Herstellungs- und取代方法的光谱研究。德国珠宝工业集团有限公司（以下简称“集团”）有限公司（以下简称“集团”）有限公司（以下简称“集团”）。

Im Projekt soll die Mischverbindung ZnOxS1-x hinsichtlich ihrer strukturellen, elektronischen und optischen Eigenschaften untersucht werden sowie die Dotierbarkeit bei einer weiteren, gleichzeitigen anionischen Substitution durch Stickstoff. Die Präparation der Schichten erfolgt mittels Radiofrequenz- und Mittelfrequenz-Sputtern sowie durch Gasphasendeposition (CVD). Die Kristallstruktur und die Gitterparameter sollen mit Röntgendiffraktometrie (J-2J, Rocking), die Änderungen in den elektronischen Eigenschaften (Bandstruktur) mittels Photoelektronspektroskopie (XPS, UPS) sowie Lumineszenz und Reflexion bestimmt werden. Elektrische (Hall) Meßverfahren und magnetische Resonanz-Methoden (EPR, ENDOR) werden zur qualitativen und quantitativen Störstellenanalyse eingesetzt. In Zusammenarbeit mit den Projekten der Arbeitsgruppen von Professor Janek (PC, Gießen) und Professor Binnewies (AC, Hannover) steht damit ein breites Spektrum der Herstellungs- und Substitutionsmethoden für auf ZnO basierende Materialien zur Verfügung. Die Expertisen der jeweiligen Arbeitsgruppen sollen für das Projekt ergänzend eingesetzt werden.