Photoemissionsmikroskopische Untersuchungen magnetischer Tunnelelemente

磁性隧道元件的研究与应用，对磁性隧道元件的研究与应用。Die magnetfeldabhängige Widerstandsänderung eines aus zwei, durch eine dnne Isolatorschicht voneinander getrennten, ferromagnetischen Elektroden, bezeichen Tunnelelementes, windes Tunnelmagnetowiderstand bezeichnet。模具最大tmr振幅比温度beträgt低60%。Zwei wesentliche Punkte begrnden das grose ße Interesse am TMR。Zum einen möchte man den spinabhängigen Tunnelprozess der Ladungsträger besser verstehen, anderseits sind zahlreiche, aufdem TMR basierende, Anwendungen denkbar。在dem中，他们的beantragten Vorhaben sollen die Ursachen f<s:1> rden Anstieg des TMR mittel Röntgen-Photoemissionsmikroskopie untersucht werden。麻省理工学院的数学方法，如：元素、磁、矩与化学Zustände在探针ortsaufgelöst通讯。美国劳伦斯伯克利国家实验室先进光源研究中心，德国，德国，德国，德国。

Magnetische Tunnelelemente werden derzeit in weltweit laufenden Forschungsprojekten des Bereiches Magneto- und Spinelektronik intensiv untersucht. Die magnetfeldabhängige Widerstandsänderung eines aus zwei, durch eine dünne Isolatorschicht voneinander getrennten, ferromagnetischen Elektroden bestehenden Tunnelelementes wird als Tunnelmagnetowiderstand bezeichnet. Die maximale TMR-Amplitude bei Raumtemperatur beträgt derzeit 60%. Zwei wesentliche Punkte begründen das große Interesse am TMR. Zum einen möchte man den spinabhängigen Tunnelprozess der Ladungsträger besser verstehen, andererseits sind zahlreiche, auf dem TMR basierende, Anwendungen denkbar. In dem hier beantragten Vorhaben sollen die Ursachen für den Anstieg des TMR mittels Röntgen-Photoemissionsmikroskopie untersucht werden. Mit dieser Methode lassen sich die elementspezifischen magnetischen Momente und chemischen Zustände in der Probe ortsaufgelöst messen. Die Messungen sollen an der Advanced Light Source des Lawrence Berkeley National Laboratory, USA, durchgeführt werden.