Room temperature spin-electronics: magnetic semiconductors based on ZnO

我是磁性卤化物氧化锌：X的详细材料。理论研究表明，钒钴双金属氧化物的铁磁性是Verhalten Voraus的。在300K的范围内，我们可以从日本国内获得更多的经验和经验，这是一种全新的技术。在铁磁性材料中，铁磁性材料的稳定性较强，相对较弱。在理想的Kandidat für spinelektronische Bauelemente中，Deshalb wäre磁体为氧化锌：X e。GaMnN Wäauch die unabhängie kontrolleüber Magtische Eigenschaften and Dotierung，da Magtische Ionen in ZnO Igektronisch Sind.我是一种新型的氧化锌磁性材料，它是一种新型的磁性材料。Spinelektronische Bauelemente Sollen Detail liert analysiert and konkrete konzepte für eine Anwendung erarbeitet and umgesetzt wenden.

Im vorliegenden Projekt soll der magnetische Halbleiter ZnO:X detailliert untersucht werden. Theoretische Rechnungen zu Vanadium- und Cobalt-dotiertem magnetischem ZnO setzen ferromagnetisches Verhalten voraus. Außerdem deuten erste experimentelle Ergebnisse aus Japan darauf hin, dass Curie-Temperaturen von z.B. ZnVO in der Tat weit oberhalb 300K liegen. Darüberhinaus - und dies ist hier entscheidend - wird der Ferromagnetismus in ZnVO offenbar von Leitungselektronen stabilisiert, und dies schon bei relativ moderaten Dotierkonzentrationen. Deshalb wäre magnetisches ZnO:X ein idealer Kandidat für spinelektronische Bauelemente. Ein großer Vorteil im Vergleich zu z.B. GaMnN wäre auch die unabhängige Kontrolle über magnetische Eigenschaften und Dotierung, da magnetische Ionen in ZnO isoelektronisch sind. Im beantragten Projekt soll magnetisches ZnO:X mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellt werden. Spinelektronische Bauelemente sollen detailliert analysiert und konkrete Konzepte für eine Anwendung erarbeitet und umgesetzt werden.