Elektronische Eigenschaften kubischer Bornitrid Filme

Obwohl kubisches Bornitrid (c-BN) vergleichbar attraktive Eigenschaften bietet是不是钻石,战争bis伏尔kurzem der Kenntnisstand zum Keimbildungs——和Wachstumsverhalten冯c-BN层deutlich后陆demjenigen毛皮Diamantschichten选择。Durch unsere j<s:1> ngsten eigenen vorarbeen ist es nun gelungen, diesen rckstand deutlich zu verkleinern: Auf (001) orientierten Diamantoberflächen ist es möglich, Durch Deposition bei etwa 900°C 'epitaktische' C - bn Filme gleicher Orientierung zu wachsen。Damit eröffnet see estmalig die perspective, durch Dotierung die elektrischen Eigenschaften solcher Proben gezielt zu verändern, insbesonere p- and n-Leitfähigkeit einzustellen。as vorliegende project möchte auf der Basis dieser eigenen vorarbeen zur Epitaxie von c-BN Schichten auf Diamantsubstrate folgende Teilziele erreichen: Optimierung des neu gefundenenepitaktischen Wachstums dicker (größer als 0.5µm) c-BN film auf Diamant。导演c-BN电影，导演Einbau von p- bzw。n-dotierenden Fremdatomen während des Wachstums and / der durch ionen着床。电子学研究进展temperaturabhängiger Leitfähigkeits-与霍尔-效应-梅森根。

Obwohl kubisches Bornitrid (c-BN) vergleichbar attraktive Eigenschaften bietet wie Diamant, war bis vor kurzem der Kenntnisstand zum Keimbildungs- und Wachstumsverhalten von c-BN Schichten deutlich hinter demjenigen für Diamantschichten zurück. Durch unsere jüngsten eigenen Vorarbeiten ist es nun gelungen, diesen Rückstand deutlich zu verkleinern: Auf (001) orientierten Diamantoberflächen ist es möglich, durch Deposition bei etwa 900°C 'epitaktische' c-BN Filme gleicher Orientierung zu wachsen. Damit eröffnet sich erstmalig die Perspektive, durch Dotierung die elektrischen Eigenschaften solcher Proben gezielt zu verändern, insbesondere p- und n-Leitfähigkeit einzustellen. Das vorliegende Projekt möchte auf der Basis dieser eigenen Vorarbeiten zur Epitaxie von c-BN Schichten auf Diamantsubstraten folgende Teilziele erreichen: Optimierung des neu gefundenen epitaktischen Wachstums dicker (größer als 0.5 µm) c-BN Filme auf Diamant. Dotireung solcher c-BN Filme durch Einbau von p- bzw. n-dotierenden Fremdatomen während des Wachstums und/oder durch Ionenimplantation. Untersuchung der elektrischen Eigenschaften mittels temperaturabhängiger Leitfähigkeits- und Hall-Effekt-Messungen.