Grenz- und Oberflächen von ferroischen Schichten

ZIel des Teilprojektes is die theoretische Untersuung des ZusammenSpiels von ATOM anordnung，lokaler elektronischer Struktronischer Struktronischen an GrizfläChen von Iron elektrischen and-Magtischen Materien MIT Hilfe von Verfahren zur Berechnung der elektronischen Struktronischen Struktronischen auf ame arem niveau.Für topaktische Manganat-Tianat-Multilgen soll die Kopplung Electrktronischer and Aomistischer Freiheits等级的MIT Bandstructure-and Clubor-Rechnungen auf der Bader der DichtetefunktionalThey Den.Zusammen MIT Daten Aus der Analytischen变速器-Elektronenmikroskopie是Auftreten and Efluss grenzflächenSpezifischer Zustände bstimt，um gezielt die Eigenschaften elektronischer Bauelemente steuern zu könen.在Superzell和集群中，Rechnungen Sowie Mit Hilfe近似于Dichtefunktionalverfahren-Rechnungen charakterisiert，um den Zusammenang von Gegerischer AbMessung and Feldveilung an der Spitze auf ATOM isscher Ebene zerfen fassen。

Ziel des Teilprojektes ist die theoretische Untersuchung des Zusammenspiels von Atomanordnung, lokaler elektronischer Struktur und funktionellen Eigenschaften an Grenzflächen von ferroelektrischen und -magnetischen Materialien mit Hilfe von Verfahren zur Berechnung der elektronischen Struktur auf atomarem Niveau. Für epitaktische Manganat-Titanat-Multilagen soll die Kopplung elektronischer und atomistischer Freiheitsgrade mit Bandstruktur- und Cluster-Rechnungen auf der Basis der Dichtefunktionaltheorie untersucht werden. Zusammen mit Daten aus der analytischen Transmissions-Elektronenmikroskopie werden Auftreten und Einfluss grenzflächenspezifischer Zustände bestimmt, um gezielt die Eigenschaften elektronischer Bauelemente steuern zu können. Daneben sollen die elektronischen Eigenschaften ferroelektrischer Titanat-Zirkonat-Spitzen für die Nahfeld-Mikroskopie mit Dichtefunktional-Bandstruktur-Rechnungen sowie mit Hilfe approximativer Dichtefunktionalverfahren in Superzell- und Cluster-Rechnungen charakterisiert werden, um den Zusammenhang von geometrischer Abmessung und Feldverteilung an der Spitze auf atomistischer Ebene zu erfassen.