2-dimentional mapping of graphene-inserted metal contacts
2-dimentional mapping of graphene-inserted metal contacts
石墨烯插入金属接触的二维映射
批准号：
24560369
负责人：
SHIOJIMA Kenji
金额：
$3.49万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
财政年份：
2012
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-04-01 至 2015-03-31
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DOI：
10.7567/jjap.54.041002
发表时间：
2015-03
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics
影响因子：
1.5
作者：
[Takeshi Tanaka;N. Kaneda;T. Mishima;Yuhei Kihara;Toshichika Aoki;K. Shiojima]
通讯作者：
Takeshi Tanaka;N. Kaneda;T. Mishima;Yuhei Kihara;Toshichika Aoki;K. Shiojima
Electrical characteristics of a-plane low-Mg-doped p-GaN Schottky contacts
a 面低镁掺杂 p-GaN 肖特基接触的电特性
a 面低镁掺杂 p-GaN 肖特基接触的电特性
DOI：
10.1002/pssb.201451581
发表时间：
2015
期刊：
physica status solidi (b)
影响因子：
--
作者：
[Moe Naganawa, Toshichika Aoki, Ji-Su Son, Hiroshi Amano and Kenji Shiojima]
通讯作者：
Hiroshi Amano and Kenji Shiojima
Evaluation of the Initial Stage of Formation of Ti/Al Ohmic Contacts Using Photoresponse Method
利用光响应法评估 Ti/Al 欧姆接触形成的初始阶段
利用光响应法评估 Ti/Al 欧姆接触形成的初始阶段
DOI：
10.7567/jjap.52.08jn06
发表时间：
2013
期刊：
Japanese Journal of Applied Physics (JJAP)
影响因子：
--
作者：
[Kenji Shiojima, Hideo Yokohama, and Gako Araki]
通讯作者：
and Gako Araki
界面顕微光応答法を用いたAlGaN/GaN HEMTの劣化過程の２次元評価
利用界面微光响应方法二维评估AlGaN/GaN HEMT的降解过程
利用界面微光响应方法二维评估AlGaN/GaN HEMT的降解过程
DOI：
--
发表时间：
2015
期刊：
影响因子：
--
作者：
[山本 晋吾, 畠山 信也, 末光 哲也, 塩島 謙次]
通讯作者：
塩島 謙次
Characterization of low-carrier thick n-GaN Schottky diodes on GaN free-standing substrates
GaN 自支撑衬底上低载流子厚 n-GaN 肖特基二极管的表征
GaN 自支撑衬底上低载流子厚 n-GaN 肖特基二极管的表征
DOI：
--
发表时间：
2014
期刊：
影响因子：
--
作者：
[Kenji Shiojima, Yuhei Kihara, Toshichika Aoki]
通讯作者：
Toshichika Aoki
共 92 条
Surface passivation of GaN by graphene layers
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批准号：21560352
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
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资助金额：$3.0万
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财政年份：2009
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负责人：SHIOJIMA Kenji
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依托单位：
海外基金