Charakterisierung von inneren Grenzflächen im Hinblick auf ultra-flache Kontakte und vergrabene Heterostrukturen

为新一代Mikroelektronik bedingen den einsatz von Ultra-dünnen Schichten MIT gezielt einstellbaren Physikalchen and elektrischen Eigenschaften提供服务。在平淡的材料和隔离的情况下，这些材料和材料与中性的异质材料和中性物质之间存在着巨大的差异。在格伦兹弗兰和德恩施希特斯特鲁克图伦的物质基础上，这一点是不可能的。在Zusammenarbeit MIT Schichtherstellern zu Optimieren的Hinblick auf Mikroelektronikanwendungen，Das Ziel Dieses es Antrages ist es，inere GrizfläChen zu charakterisieren and so ther Physikalischen Eigenschaften der Schichtstrukturen im Hinblick auf Mikroelektronikanwendungen in ere GrizfläChen zu charakterisieren and so ther Phykalischen Eigenschaften der Schichtstrukturen im Hinblick auf Mikroelektronikanwendungen.我们在硅/锗混合材料中植入了一种超细金属离子，并将其植入。他说：“这是一件非常重要的事情，我们不能不做任何事情，也不能做任何事情。采用弹性反冲检测(ERD)的方法对ALS进行了标准化处理，并进行了元素分析。我们的方法是：从自然到自然，从科学到科学。索米特·莫格利希，简档Leichter Elemente an inneren GrizfläChen zuverlässig zu bstimen-eine notwendige Vorossetzung zur Kontrolle der Schichtprofile Sowie von Verunreigungen and Dotierstoffen in Unmittelbung Umgebung der GrizfläChen.

Die Reduktion der Bauelementgröße für zukünftige Generationen der Mikroelektronik bedingen den Einsatz von ultra-dünnen Schichten mit gezielt einstellbaren physikalischen und elektrischen Eigenschaften. Die Anforderungen für ultra-flache Kontaktstrukturen, zum Einstellen der Bandlücken in halbleitenden Materialien und für Isolationsschichten bedingen die Verwendung neuer Materialien und neuartiger Heterostrukturen. Neben den Eigenschaften der Schichten selbst sind die inneren Grenzflächen entscheidend für die physikalischen und elektrischen Eigenschaften der Dünnschichtstrukturen. Das Ziel dieses Antrages ist es, innere Grenzflächen zu charakterisieren und so die physikalischen Eigenschaften der Schichtstrukturen im Hinblick auf Mikroelektronikanwendungen in Zusammenarbeit mit Schichtherstellern zu optimieren. Geplant sind Untersuchungen an ultra-flachen Kontakten, die mittels niederenergetischer Ionenimplantation oder durch MBE-Wachstum auf Silizium/GermaniumMischsystemen hergestellt werden. Außerdem sollen Grenzflächen ultra-dünner Isolationsschichten zu halbleitenden, dotierten Si-Ge-Schichten untersucht werden, die so als Kanalstrukturen in vertikalen oder planaren Transistorstrukturen Einsatz finden. Als Untersuchungsmethode soll neben Standardverfahren insbesondere die Methode der Elastic Recoil Detection (ERD) mit höchster Tiefenauflösung zur Bestimmung von Elementtiefenprofilen herangezogen werden. Diese Methode ist einzigartig aufgrund der hervorragenden Tiefenauflösung und aufgrund der Möglichkeit, dass alle leichten Elemente quantitativ und mit der notwendigen Sensitivität nachgewiesen werden können. Somit ist es erstmalig möglich, Profile leichter Elemente an inneren Grenzflächen zuverlässig zu bestimmen - eine notwendige Voraussetzung zur Kontrolle der Schichtprofile sowie von Verunreinigungen und Dotierstoffen in unmittelbarer Umgebung der Grenzflächen.