Modellierung kohärenter Streulicht-Messprozesse für deterministische Nanostrukturen und stochastische Oberflächendefekte im Mikrometerbereich

激光光学Streulicht-Messverfahren特性随机分布Oberflächen im Bereich von Ra = 1 nm他的Ra = 5.000 nm。Oberflächendefekte, periodische Strukturen und große Aspektverhältnisse （Leiterbahnen, Gräben， Einschnitte等）beeinflussen die streulichtverilung。研究人员发现，纳米结构是一种典型的纳米结构，而非典型的纳米结构。[3] [font =宋体][font =宋体][font =宋体][font =宋体]Fällen。Dennoch enthält jede Beugungs- und streulichtverilung generell alleinformationen ber die zugehörige Oberflächen-Topografie，因此，新Auswerte-Algorithmen entworfen werden sollen。Das Ziel dieses project, bestdarin, speziell in Sub-Wellenlängenbereich (1 nm - 300 nm) durch model ellbetrachtungen analysche Zusammenhänge zwischen charakteristischen Streulicht-Effekten and Topografie-Merkmalen f<e:1> r microsystem and Nanostrukturen herzustellen。研究对象为虚拟计算机Oberflächen-与仿真模型有关的auswerwerte -算法有关的仿真研究MessabläufenDie forschungsergenise bilden Die Grundlage, um Mikrobauteile mit strukturren im Nanometerbereich später fertigungsprogeht prefen zu können, d.h. flächenhaft, berrungslos und hinreichend schnell, so dass ereaktion z.b.b eder Überwachung von laufenden Fertigungsprozessen (Echtzeitfähigkeit des Messsystems) möglich ist。

Laser-optische Streulicht-Messverfahren charakterisieren stochastisch raue Oberflächen im Bereich von Ra = 1 nm bis Ra = 5.000 nm. Oberflächendefekte, periodische Strukturen und große Aspektverhältnisse (Leiterbahnen, Gräben, Einschnitte, etc.) beeinflussen die Streulichtverteilung. Insbesondere im Fall von Mikrobauteilen sind die zu charakterisierenden Oberflächen-Areale oft kleiner als das Gesichtsfeld bisher realisierter Streulicht-Messsysteme und typischerweise nanostrukturiert. Eine Charakterisierung mit konventioneller Bildauswertung der Streulichtverteilung ist in solchen Fällen nicht mehr möglich. Dennoch enthält jede Beugungs- und Streulichtverteilung generell alle Informationen über die zugehörige Oberflächen-Topografie, so dass neue Auswerte-Algorithmen entworfen werden sollen. Das Ziel dieses Projekts besteht darin, speziell im Sub-Wellenlängenbereich (1 nm 300 nm) durch Modellbetrachtungen analytische Zusammenhänge zwischen charakteristischen Streulicht-Effekten und Topografie-Merkmalen für Mikrosysteme und Nanostrukturen herzustellen. Hierzu werden geeignete virtuelle Oberflächen- und Streulicht-Modelle sowie Auswerte-Algorithmen zur Simulation von Messabläufen entwickelt und miteinander kombiniert. Die Forschungsergebnisse bilden die Grundlage, um Mikrobauteile mit Strukturen im Nanometerbereich später fertigungsgerecht prüfen zu können, d.h. flächenhaft, berührungslos und hinreichend schnell, so dass eine Reaktion z.B. bei der Überwachung von laufenden Fertigungsprozessen (Echtzeitfähigkeit des Messsystems) möglich ist.