Messverfahren zur In-Prozess-Charakterisierung optisch erzeugter Sub-100-nm-Strukturen

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Es soll das erfolgreiche Konzept der Entwicklung von In-Prozess- Messverfahren für Sub-1 OO-nm-Strukturen auf Basis von rigorosen Streulicht-Simulationen fortgeführt werden. Neben der Weiterentwicklung der Simulations- und Auswerteverfahren liegt das Hauptaugenmerk nun auf der praktischen Applikation der Messverfahren bei verschiedenen Partnern innerhalb und außerhalb des Schwerpunktprogramms. Um vom breiten Spektrum der Anwendungen ausgehend zu einer allgemein gültigen Entwicklungs-Methodik für Streulicht- Messverfahren zu gelangen, wird diese Aufgabe in mehreren Stufen umgesetzt. In vielen technischen Anwendungen (z.B. plasmonische Schichten oder ZnO-LEDs) bedecken Nanostrukturen statistisch und homogen verteilt die gesamte Oberfläche. Zu detektierende Prozessabweichungen in Bezug auf diese Nanostrukturen wirken sich auf das gesamte Streulichtmuster aus und sind daher mit einer überschaubaren Anzahl von Simulationen zu identifizieren sowie messtechnisch nachzuweisen. Betreffen statistische Abweichungen jedoch nur Teilbereiche der Oberfläche, wie z.B. in der Medizintechnik bei biokompatiblen Oberflächenbeschichtungen, so interessiert meist die Homogenität der Bedeckungsdichte. Hier sind hauptsächlich messtechnische Herausforderungen zu erwarten. Deterministische Strukturabweichungen hingegen können sich in beliebigen begrenzten Bereichen der Streulichtverteilung ausprägen. Um diese Effekte zu erkennen, ist einerseits eine erheblich größere Anzahl von Simulationen erforderlich. Andererseits müssen neue digitale Bild auswerteverfahren entwickelt werden.