Neues Thema: Diamant FET Strukturen, Analyse ausstehender Basisprobleme Altes Thema:Entwicklung von Feldeffekt-Tansistorstrukturen auf Diamantbasis

在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国，在德国。在vorarbeen konte gezet werden中，在GHz-Bereich betrieden können中，通过FET-Strukturen的频率高于FET-Strukturen。Simulationsabschätzungen zeigen darber hinaus， dass mit diskreten FET-Bauelementen auf Diamantbasis和RF-Leistungen (oberhalb derer von fet auf GaN-Basis) erwartet werden können。Ein wesentliches Merkmal hier ist die hos Wärmeleitfähigkeit des integrerten Diamantwärmespreizers。我是一名德国工程师，他是一名德国工程师，他是一名德国工程师，是一名德国工程师。[endnoteref: 1] [endnoteref: 1] [endnoteref: 1] [endnoteref: 1] [endnoteref: 1]。Die Leistungsdichte light derzeit = 2 Größenordnungen在理论条件下。他们出售了新的Vorhaben和新的技术，例如Fragestellungen ansetzen。大足gehören neue Ideen der Oberflächenbehandlung zur Erzeugung and Stabilisierung des wasserstofindustrierten Oberflächenkanals wie die Absättigung mit Fullerenen and Jodkomplexen。（Hier sollen auch unsere Erfahrungen aus der elekchemischen Oberflächenanalyse einfließen.）金刚石材料之间的绝缘层为本特征外延层（eigenen epitaxeschchten auf käuflichen）衬底层（Substrate）为衬底层（Pufferschichten hoher） Qualität （underers eingesetzt werden）。Zusätzlich soll eine Passivierung entwickelt werden, die es erlaubt, FeldplattenKonzepte einzusetzen。这是一种基于fet结构优化技术的技术，该技术在现实世界中被广泛应用。

Die vorgesehenen Arbeiten sind eine Fortführung bisheriger Arbeiten, um die Grundlagen zur Entwicklung einer Diamantelektronik weiter voranzutreiben. In Vorarbeiten konnte gezeigt werden, dass FET-Strukturen bei hoher Frequenz im GHz-Bereich betrieben werden können. Simulationsabschätzungen zeigen darüber hinaus, dass mit diskreten FET-Bauelementen auf Diamantbasis hohe RF-Leistungen (oberhalb derer von FETs auf GaN-Basis) erwartet werden können. Ein wesentliches Merkmal hier ist die hohe Wärmeleitfähigkeit des integrierten Diamantwärmespreizers. Im beantragten Vorhaben sollen die bisher erzielten Einzelergebnisse konzentriert und in optimierten Bauelementestrukturen (FETS) eingesetzt werden. Die Arbeiten sollen sich dabei auf MESFET-Strukturen mit Oberflächenkanal (auf H-abgesättigter Oberfläche) konzentrieren. Die Leistungsdichte liegt derzeit etwa 2 Größenordnungen unter der theoretisch erwarteten. Hier soll das neue Vorhaben mit neuen technologischen Fragestellungen ansetzen. Dazu gehören neue Ideen der Oberflächenbehandlung zur Erzeugung und Stabilisierung des wasserstoff-induzierten Oberflächenkanals wie die Absättigung mit Fullerenen und Jodkomplexen. (Hier sollen auch unsere Erfahrungen aus der elektrochemischen Oberflächenanalyse einfließen.) Das Diamantmaterial betreffend sollen neben eigenen Epitaxieschichten auf käuflichen Substraten auch Substrate oder Pufferschichten hoher Qualität anderer Labors eingesetzt werden. Zusätzlich soll eine Passivierung entwickelt werden, die es erlaubt, FeldplattenKonzepte einzusetzen. Mit einer auf diese Art optimierten FET-Struktur sollen hohe Mikrowellenleistungsdichten realisiert werden.