Research on tunnel FET using IV/III-V heterojunction toward circuit application
Research on tunnel FET using IV/III-V heterojunction toward circuit application
IV/III-V异质结隧道FET面向电路应用的研究
批准号：
16H06080
负责人：
Tomioka Katsuhiro
金额：
$15.97万
依托单位：
依托单位国家：
日本
项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (A)
财政年份：
2016
资助国家：
日本
项目状态：
已结题
起止时间：
2016-04-01 至 2019-03-31
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(Invited) Transistor application using vertical III-V nanowires on Si platform
（特邀）Si平台上垂直III-V纳米线的晶体管应用
（特邀）Si平台上垂直III-V纳米线的晶体管应用
DOI：
10.1149/08001.0043ecst
发表时间：
2017
期刊：
ECS Transaction
影响因子：
--
作者：
[W. Zhang, S. Netsu, T. Kanazawa, T. Amemiya, Y. Miyamoto, Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui]
通讯作者：
Katsuhiro Tomioka and Takashi Fukui
Size Control of InP NWs by in situ Thermal Annealing in MOVPE
MOVPE 中原位热退火控制 InP 纳米线的尺寸
MOVPE 中原位热退火控制 InP 纳米线的尺寸
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[M. Sasaki, K. Chiba, A. Yoshida, K. Tomioka, J. Motohisa]
通讯作者：
J. Motohisa
Si基板上InGaAsナノワイヤアレイフォトダイオードに関する研究
Si衬底上InGaAs纳米线阵列光电二极管的研究
Si衬底上InGaAs纳米线阵列光电二极管的研究
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[千葉 康平, 吉田 旭伸, 冨岡 克広, 本久 順一]
通讯作者：
本久 順一
Heterogeneous integration of vertical InGaAs nanowires on Ge (111) substrates by selective-area growth
通过选择性区域生长在Ge（111）衬底上异质集成垂直InGaAs纳米线
通过选择性区域生长在Ge（111）衬底上异质集成垂直InGaAs纳米线
DOI：
--
发表时间：
2017
期刊：
影响因子：
--
作者：
[A. Yoshida, Y. Minami, K. Tomioka, J. Motohisa]
通讯作者：
J. Motohisa
InPナノワイヤLEDにおける発光効率の温度依存性
InP 纳米线 LED 发光效率的温度依赖性
InP 纳米线 LED 发光效率的温度依赖性
DOI：
--
发表时间：
2018
期刊：
影响因子：
--
作者：
[本久 順一, 亀田 滉貴, 佐々木 正尋, 冨岡 克広]
通讯作者：
冨岡 克広
共 91 条
Inverstigation on vertical tunnel FET using Si/III-V heterojunction and their three-dimensional integrated circuit applications
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批准号：19H02184
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项目类别：Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
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资助金额：$11.32万
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财政年份：2019
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负责人：Tomioka Katsuhiro
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依托单位：
Demonstration of ultrafast resonant tunneling transistor
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批准号：19K21951
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项目类别：Grant-in-Aid for Challenging Research (Exploratory)
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资助金额：$4.16万
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财政年份：2019
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负责人：Tomioka Katsuhiro
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依托单位：
海外基金