Materialbearbeitung von Dielektrika auf der Nanometerskala mit zeitlich asymmetrisch geformten Femtosekundenlaserpulsen und polarisationsgeformten Femtosekundenlaserpulsen

在此基础上，设计了一种新型的半导体激光器，用于100 nm以下波长的激光扫描。从纳米材料的角度来看，这是一种新型的纳米材料。在Dielektrika geschrieben的Femtosekundenzeitskala Mittels PulsformungsMethoden Sub100-nm-Strukturen中，我们使用的是Förder相变、能量调制和能量调制。从50 nm到50 nm，我们只需要5毫米的速度和7毫米的速度。这是一个不对称的偏振脉冲和偏振脉冲的形成脉冲，而不是偏振脉冲的形成。在Zweiten相中，除了材料的系统优化外，还需要更多的材料，这些材料的偏振和偏振是不可能的。Haupttziel is jedoch，in Enger Zusammenarbeit MIT Kollegen Aus der ElektroTechnik and Informatik das direkte Laserschreiben Funktionaler Strukturen im Sub-100 nm Bereich zu Optimieren and zu Charakterisieren.他们在同样的基础上，从风扇过滤器，到纳米结构，控制手套的特性和评估的方法，以此为基础。

Da die direkte Strukturierung von dielektrischen Materialien mit Laserverfahren im Sub-100-nm Bereich unter Raumbedingungen und ohne Probenaufbereitung durchgeführt werden kann, besitzt dieses Verfahren grundsätzliche Vorteile im Vergleich zu etablierten Nanostrukturierungsverfahren. Anwendungsgebiete reichen von der Nanomaterialbearbeitung extrem harter Materialien bis hin zur Nanozellchirurgie. Wir konnten in der ersten Förderphase zeigen, dass durch Modulation der Energiestromdichte auf der Femtosekundenzeitskala mittels Pulsformungsmethoden Sub-100-nm-Strukturen in Dielektrika geschrieben werden können. Der kleinste gemessene Lochdurchmesser liegt derzeit bei 50 nm, wobei ein Mikroskopobjektiv mit einer moderaten NA von 0,5 und einem Arbeitsabstand von 7 mm verwendet wurde. Es ist die Kontrolle der für den Abtrag benötigten kritischen Elektronendichte mit Hilfe zeitlich asymmetrischer Pulse und auch polarisationsgeformter Pulse, der dabei eine bedeutende Rolle zukommt. In dieser zweiten Phase sollen die bisher erfolgreichen Arbeiten zur systematischen Optimierung des Materialabtrags fortgeführt, das neu entwickelte Verfahren zur direkten Bestimmung von Elektronendichten angewendet und eine mögliche Unterdrückung der Rippelbildung bei der Mehrschussmaterialbearbeitung mit polarisationsgeformten Pulsen untersucht werden. Hauptziel ist jedoch, in enger Zusammenarbeit mit Kollegen aus der Elektrotechnik und Informatik das direkte Laserschreiben funktionaler Strukturen im Sub-100-nm Bereich zu Optimieren und zu Charakterisieren. Dieses gemeinsame Ziel umfasst die Herstellung eines Fanofilters, Vergleichsuntersuchungen zu anderen Nanostrukturierungsmethoden, die Prozesskontrolle mittels streulicht-basierter Charakterisierung und die Evaluierung der Methoden zur Informationsspeicherung.