Hetero-epitaxial silicon carbide: enabling wide-band-gap semiconductors on silicon for greener technologies
Hetero-epitaxial silicon carbide: enabling wide-band-gap semiconductors on silicon for greener technologies
异质外延碳化硅：在硅上实现宽带隙半导体，实现更环保的技术
批准号：
FT120100445
负责人：
Prof Francesca Iacopi
金额：
$52.1万
依托单位：
依托单位国家：
澳大利亚
项目类别：
ARC Future Fellowships
财政年份：
2012
资助国家：
澳大利亚
项目状态：
已结题
起止时间：
2012-08-24 至 2016-12-31
中文摘要
翻译
在接下来的十年里，宽带隙材料将为智能异质设备的毛细管延伸释放巨大的潜力，提高能源效率并减少我们的碳足迹。该项目旨在实现重大突破，满足这一迫切的技术需求，并使澳大利亚处于这场革命的前沿。
英文摘要
In the next decade wide band gap materials will unlock vast potential for a capillary outreach of smart heterogeneous devices, improving energy efficiency and lessening our carbon footprint. This project will aim at major breakthroughs, enabling this pressing technological demand, and putting Australia at the leading edge of this revolution.
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