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Pulsed Laser Annealing of Some Elementary and Compound Semiconductors
一些基本和化合物半导体的脉冲激光退火
基本信息
- 批准号：8304108
- 负责人：
- 金额：$ 0.96万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Standard Grant
- 财政年份：1983
- 资助国家：美国
- 起止时间：1983-06-01 至 1985-11-30
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
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会议论文数量（0）
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Alvin Compaan其他文献
Thin-film neutron detector based on CdTe and <sup>6</sup>Li layers
- DOI：
10.1016/j.nima.2018.08.086 - 发表时间：
2020-02-21 - 期刊：
- 影响因子：
- 作者：
Alvin Compaan;Ford B. Cauffiel;Anthony J. Matthews;Song Cheng;Ambalanath Shan;Robert D. Fisher;Victor V. Plotnikov;Ralph Becker - 通讯作者：
Ralph Becker
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SBIR Phase I: Advanced Semitransparent CdTe PV
SBIR 第一阶段：先进的半透明 CdTe 光伏
- 批准号：
1113818 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 0.96万 - 项目类别：
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U.S.-Mexico Cooperative Research: Thin-Film Materials for Photovoltaics
美国-墨西哥合作研究：光伏薄膜材料
- 批准号：
9901383 - 财政年份：1999
- 资助金额：
$ 0.96万 - 项目类别：
Standard Grant
High Resolution Spectroscopy for Undergraduates
本科生高分辨率光谱学
- 批准号：
9450936 - 财政年份：1994
- 资助金额：
$ 0.96万 - 项目类别：
Standard Grant
Laser Light Scattering Studies of Exciton and Free Carrier Relaxation in Pure and Implanted Semiconductors
纯半导体和注入半导体中激子和自由载流子弛豫的激光散射研究
- 批准号：
7820607 - 财政年份：1979
- 资助金额：
$ 0.96万 - 项目类别：
Standard Grant
Raman and Photoluminescence Studies of Pure and Implanted Cuprous Oxide
纯氧化亚铜和植入氧化亚铜的拉曼和光致发光研究
- 批准号：
7600371 - 财政年份：1976
- 资助金额：
$ 0.96万 - 项目类别：
Standard Grant
相似国自然基金
基于激光与管电极电解同步复合（Laser-STEM）的低损伤大深度小孔加工技术基础研究
- 批准号：51905525
- 批准年份：2019
- 资助金额：26.0 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
长链非编码RNA lnc-LASER通过HNF-1α-PCSK9 调控肝脏胆固醇平衡的机制研究
- 批准号：81600343
- 批准年份：2016
- 资助金额：17.5 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
相似海外基金
Development of heavily impurity doped Q-carbon high-Tc superconductor by an adjusted pulsed laser annealing technique
调整脉冲激光退火技术开发重掺杂Q-碳高温超导体
- 批准号：
21H01624 - 财政年份：2021
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Grant-in-Aid for Scientific Research (B)
RUI: Laser-Zone Drawing and Annealing of High Strength Polymer Nanofibers
RUI：高强度聚合物纳米纤维的激光区域拉伸和退火
- 批准号：
2110027 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 0.96万 - 项目类别：
Standard Grant
SBIR Phase I: Fabrication of Vertical Junction GaN FET Devices via Pulsed Laser Annealing Process
SBIR 第一阶段：通过脉冲激光退火工艺制造垂直结 GaN FET 器件
- 批准号：
1939955 - 财政年份：2019
- 资助金额：
$ 0.96万 - 项目类别：
Standard Grant
A proposal for electrode formation at low annealing temperatures via the application of femtosecond-laser-induced modifications on silicon carbide
通过在碳化硅上应用飞秒激光诱导改性在低退火温度下形成电极的建议
- 批准号：
15K06466 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 0.96万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Scientific Research (C)
Mechanisms of crystallization of CoFeB-based TMR stacks under laser annealing
激光退火下 CoFeB 基 TMR 叠层的结晶机制
- 批准号：
282193534 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 0.96万 - 项目类别：
Research Grants
Low temperature oxidation of gallium nitride with super critical water by high-pressure underwater laser annealing
高压水下激光退火超临界水低温氧化氮化镓
- 批准号：
15K13955 - 财政年份：2015
- 资助金额：
$ 0.96万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Challenging Exploratory Research
Fabrication of locally defined Ge:Mn-Hybridstructures with self organized processes during pulsed laser annealing
在脉冲激光退火过程中利用自组织过程制造局部限定的 Ge:Mn 混合结构
- 批准号：
233957617 - 财政年份：2013
- 资助金额：
$ 0.96万 - 项目类别：
Research Grants
Low Temperature Formation of SingleCrystal Germanium Thin Film by Laser Annealing for Laminated Structure
叠层结构激光退火低温形成单晶锗薄膜
- 批准号：
23760284 - 财政年份：2011
- 资助金额：
$ 0.96万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
Selective formation of germanium-on-insulator structures based on liquid phase epitaxy by laser annealing
基于激光退火液相外延选择性形成绝缘体上锗结构
- 批准号：
21760009 - 财政年份：2009
- 资助金额：
$ 0.96万 - 项目类别：
Grant-in-Aid for Young Scientists (B)
SBIR Phase I: Photovoltaic Laser Annealing System
SBIR第一期：光伏激光退火系统
- 批准号：
0740489 - 财政年份：2008
- 资助金额：
$ 0.96万 - 项目类别：
Standard Grant