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Molecular Beam Epitaxy (MBE)-Grown Incommensurate Heterostructures (Materials Research)
分子束外延 (MBE) 生长的不相称异质结构（材料研究）
基本信息
- 批准号：8602675
- 负责人：
- 金额：$ 146.4万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Continuing Grant
- 财政年份：1986
- 资助国家：美国
- 起止时间：1986-07-01 至 1989-12-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
项目成果
期刊论文数量（0）
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Ctirad Uher其他文献
Current induced electromechanical strain in thin antipolar Ag2Se semiconductor
薄反极性 Ag2Se 半导体中电流感应的机电应变
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10.1016/j.jallcom.2022.165089 - 发表时间：
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- 影响因子：6.300
- 作者：
Yinying Zhang;Ctirad Uher - 通讯作者：
Ctirad Uher
Finite element analysis of temperature and stress fields during the selective laser melting process of thermoelectric SnTe
热电 SnTe 激光选区熔化过程温度场和应力场的有限元分析
- DOI：
10.1016/j.jmatprotec.2018.06.001 - 发表时间：
2018-11 - 期刊：
- 影响因子：6.3
- 作者：
Chuang Luo;Junhao Qiu;Yonggao Yan;Jihui Yang;Ctirad Uher;Xinfeng Tang - 通讯作者：
Xinfeng Tang
Fabrication and thermoelectric properties of n-type CoSb2.85Te0.15 using selective laser melting
选区激光熔化n型CoSb2.85Te0.15的制备及其热电性能
- DOI：
10.1021/acsami.8b01564 - 发表时间：
2018 - 期刊：
- 影响因子：9.5
- 作者：
Yonggao Yan;Hongquan Ke;Jihui Yang;Ctirad Uher;Xinfeng Tang - 通讯作者：
Xinfeng Tang
Ctirad Uher的其他文献
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Transition Metal and Rare Earth Doped Sb2Te3 and Bi2Te3 Diluted Magnetic Semiconductors
过渡金属和稀土掺杂 Sb2Te3 和 Bi2Te3 稀磁半导体
- 批准号：
0604549 - 财政年份：2006
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
Standard Grant
Thin Film Diluted Magnetic Semiconductors with Tetradymite Structure
具有辉辉石结构的薄膜稀磁半导体
- 批准号：
0305221 - 财政年份：2003
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
Continuing Grant
U.S.-Czech Republic Materials Research on Novel Magnetic Semiconductors Based on Antimony Telluride [Sb2Te3]
美国-捷克共和国基于碲化锑[Sb2Te3]的新型磁性半导体材料研究
- 批准号：
0201114 - 财政年份：2002
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
Standard Grant
Studies of MBE-grown Incommensurate Heterostructures Based on Metals and Semiconductors
基于金属和半导体的 MBE 生长的不相称异质结构的研究
- 批准号：
8905367 - 财政年份：1989
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
Standard Grant
Low Temperature Properties of Artificial Metallic Super- lattices and Thin Films (Materials Research)
人造金属超晶格和薄膜的低温性能（材料研究）
- 批准号：
8508392 - 财政年份：1985
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
Continuing Grant
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半金属的低温输运特性和超导性（材料研究）
- 批准号：
8304356 - 财政年份：1983
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
Continuing Grant
Superconductivity in Low Carrier Density Group V Semimetals
低载流子密度 V 族半金属的超导性
- 批准号：
7924374 - 财政年份：1980
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
Continuing Grant
相似国自然基金
完全共振高次带导数Beam方程的拟周期解研究
- 批准号：12301229
- 批准年份：2023
- 资助金额：30.00 万元
- 项目类别：青年科学基金项目
基于CPU+多GPU构架的图像引导放疗低剂量Cone Beam CT高质量重建系统的研究
- 批准号：81803056
- 批准年份：2018
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- 批准号：11475234
- 批准年份：2014
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相似海外基金
AFM and Optical Studies of Boron Nitride and Graphene Grown By High Temperature Molecular Beam Epitaxy
高温分子束外延生长氮化硼和石墨烯的 AFM 和光学研究
- 批准号：
2884050 - 财政年份：2023
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
Studentship
Studies of novel two-dimensional materials systems grown by molecular beam epitaxy
分子束外延生长的新型二维材料系统的研究
- 批准号：
RGPIN-2018-04579 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
Discovery Grants Program - Individual
Collaborative Research: Developing metal-organic molecular beam epitaxy (MOMBE) for chalcogenide semiconductor thin film synthesis
合作研究：开发用于硫族化物半导体薄膜合成的金属有机分子束外延（MOMBE）
- 批准号：
2224948 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
Continuing Grant
Collaborative Research: Developing metal-organic molecular beam epitaxy (MOMBE) for chalcogenide semiconductor thin film synthesis
合作研究：开发用于硫族化物半导体薄膜合成的金属有机分子束外延（MOMBE）
- 批准号：
2224949 - 财政年份：2022
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
Continuing Grant
CAREER: Topological Phenomena in 4d and 5d Complex Oxide Interfaces and Superlattices Grown by Hybrid Molecular Beam Epitaxy
职业：混合分子束外延生长的 4d 和 5d 复合氧化物界面和超晶格中的拓扑现象
- 批准号：
2045993 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
Continuing Grant
An electronbeam evaporator for realtime and precise flux control for molecular beam epitaxy
用于分子束外延实时精确通量控制的电子束蒸发器
- 批准号：
RTI-2022-00382 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
Research Tools and Instruments
STTR Phase I: Scaling of AlN/GaN/AlN HEMTs via molecular beam epitaxy
STTR 第一阶段：通过分子束外延缩放 AlN/GaN/AlN HEMT
- 批准号：
2112247 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
Standard Grant
Fabrication cluster with molecular beam epitaxy, glovebox sytem and scanning probe lithography
采用分子束外延、手套箱系统和扫描探针光刻技术的制造集群
- 批准号：
455328906 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
Major Research Instrumentation
Studies of novel two-dimensional materials systems grown by molecular beam epitaxy
分子束外延生长的新型二维材料系统的研究
- 批准号：
RGPIN-2018-04579 - 财政年份：2021
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
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MRI: Development of a Miniaturized Molecular Beam Epitaxy Setup for Direct Printing of Quantum Circuits
MRI：开发用于直接打印量子电路的小型化分子束外延装置
- 批准号：
2019131 - 财政年份：2020
- 资助金额：
$ 146.4万 - 项目类别：
Standard Grant