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Studies of MBE-grown Incommensurate Heterostructures Based on Metals and Semiconductors

Studies of MBE-grown Incommensurate Heterostructures Based on Metals and Semiconductors
基于金属和半导体的 MBE 生长的不相称异质结构的研究
批准号：
8905367
负责人：
Ctirad Uher
金额：
$11.5万
依托单位：
Regents of the University of Michigan - Ann Arbor
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1989
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1989-09-01 至 1990-08-31
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8905367&HistoricalAwards=false
关键词：
StudiesMBEgrownIncommensurateHeterostructures

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This research deals with the growth mechanisms, structure, and physical properties of incommensurate molecular beam epitaxy (MBE) heteroepitaxy of metal and semiconductor overlayers. The heterostructures will include Ta-Nb and Co-Au superlattices. These overlayers will be deposited on III-V semiconductors as well as sapphire and silicon substrates. Part of the work will address growth processes encountered in migration enhanced epitaxial deposition.
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