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Studies of MBE-grown Incommensurate Heterostructures Based on Metals and Semiconductors
基于金属和半导体的 MBE 生长的不相称异质结构的研究
基本信息
- 批准号：8905367
- 负责人：
- 金额：$ 11.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Standard Grant
- 财政年份：1989
- 资助国家：美国
- 起止时间：1989-09-01 至 1990-08-31
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
This research deals with the growth mechanisms, structure, and physical properties of incommensurate molecular beam epitaxy (MBE) heteroepitaxy of metal and semiconductor overlayers. The heterostructures will include Ta-Nb and Co-Au superlattices. These overlayers will be deposited on III-V semiconductors as well as sapphire and silicon substrates. Part of the work will address growth processes encountered in migration enhanced epitaxial deposition.
本研究探讨了生长机制、结构和 无公度分子束外延物理性质 (MBE)金属和半导体覆盖层的异质外延。 的 异质结构将包括Ta-Nb和Co-Au超晶格。 这些覆盖层将沉积在III-V族半导体上， 以及蓝宝石和硅衬底。 部分工作将 解决移徙过程中遇到的增长问题 外延沉积。
项目成果
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