Studies of MBE-grown Incommensurate Heterostructures Based on Metals and Semiconductors

基于金属和半导体的 MBE 生长的不相称异质结构的研究

基本信息

批准号：
8905367
负责人：
Ctirad Uher
金额：
$ 11.5万
依托单位：
Regents of the University of Michigan - Ann Arbor
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1989
资助国家：
美国
起止时间：
1989-09-01 至 1990-08-31
项目状态：
已结题

来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8905367&HistoricalAwards=false
关键词：
Studies MBE grown Incommensurate Heterostructures

项目摘要

This research deals with the growth mechanisms, structure, and physical properties of incommensurate molecular beam epitaxy (MBE) heteroepitaxy of metal and semiconductor overlayers. The heterostructures will include Ta-Nb and Co-Au superlattices. These overlayers will be deposited on III-V semiconductors as well as sapphire and silicon substrates. Part of the work will address growth processes encountered in migration enhanced epitaxial deposition.

这项研究涉及金属和半导体叠加仪的不稳定分子束外延（MBE）杂质的生长机制，结构和物理特性。异质结构将包括TA-NB和Co-AU超级晶格。这些叠加仪将沉积在III-V半导体以及蓝宝石和硅底物上。这项工作的一部分将解决迁移增强的外延沉积中遇到的增长过程。

项目成果

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