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Studies of the Surface Chemistry of GaAs Deposition with Surface Second Harmonic Generation

Studies of the Surface Chemistry of GaAs Deposition with Surface Second Harmonic Generation
表面二次谐波沉积砷化镓的表面化学研究
批准号：
8815964
负责人：
Edmund Seebauer
金额：
$4.4万
依托单位：
University of Illinois at Urbana-Champaign
依托单位国家：
美国
项目类别：
Standard Grant
财政年份：
1989
资助国家：
美国
项目状态：
已结题
起止时间：
1989-04-01 至 1990-09-30
来源：
https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=8815964&HistoricalAwards=false
关键词：
StudiesSurfaceChemistryGaAsDeposition

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Equipment is provided to test the applicability of surface second harmonic generation (SHG) to the study of surface diffusion. Diffusion of gallium, arsenic, and their alkyl and chloride compounds on silicon will be studied. The equipment includes a high-power short- pulse laser, a monochromator, and a piezoelectric translator. In SHG, the adsorption-sensitive yield of frequency-doubled laser light is detected in reflection from the surface. Because SHG has good spatial resolution (ca. 0.5 micron), it is particularly suited for measurements of surface diffusion, which plays a dominant role in many film-deposition processes.
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海外基金
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    --
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