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Point Defects in Semiconductors Using Optical Detection of Magnetic Resonance
使用磁共振光学检测半导体中的点缺陷
基本信息
- 批准号：9204114
- 负责人：
- 金额：$ 61.5万
- 依托单位：
- 依托单位国家：美国
- 项目类别：Continuing grant
- 财政年份：1992
- 资助国家：美国
- 起止时间：1992-08-01 至 1998-04-30
- 项目状态：已结题
- 来源：
- 关键词：
项目摘要
This project is an experimental study of scientifically and technologically important point defects in elemental and compound semiconductors using optical detection of magnetic resonance and optical detection of electron-nuclear double resonance. Some of the defects are produced by electron irradiation of Zinc-Tellurium samples at low temperatures. Another part of the work deals with metastable defects, such as DX and EL2 centers, in II-VI and III-V semiconductors. Other materials being studied are fullerenes, MBE nitrogen-doped Zinc-Selenium and porous silicon.
本项目是一项科学的实验研究， 元素和化合物中技术上重要的点缺陷 使用磁共振的光学检测的半导体， 电子-核双共振的光学探测。 一些 缺陷是由锌碲的电子辐照产生的 低温下的样品。 工作的另一部分涉及 II-VI族和III-V族中的亚稳缺陷，如DX和EL 2中心 半导体。 其他正在研究的材料是富勒烯， 氮掺杂的锌硒和多孔硅。
项目成果
期刊论文数量（0）
专著数量（0）
科研奖励数量（0）
会议论文数量（0）
专利数量（0）
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