Study of Defects and Process induced Damage in Si1-xGex Materials

Si1-xGex 材料中的缺陷和过程诱导损伤的研究

• 批准号: 9207665
• 负责人: Durgamadhab Misra
• 金额: $ 15.1万
• 依托单位: New Jersey Institute of Technology
• 依托单位国家: 美国
• 项目类别: Standard Grant
• 财政年份: 1992
• 资助国家: 美国
• 起止时间: 1992-09-01 至 1996-06-30
• 项目状态: 已结题
• 来源: https://www.nsf.gov/awardsearch/showAward?AWD_ID=9207665&HistoricalAwards=false
• 关键词: Study; Defects; Process; induced; Damage

This research investigates the built-in defects and the dry etching damage introduced in the Si1-xGex films synthesized by various methods, thereby developing a damage free RIE process for strained and unstrained Si1-xGex material. The study will involve both physical characterization involving SEM and TEM and electrical characterization involving I-V, C-V and DLTS measurements. The etch rate of these films will be measured. A few ion implanted Si1-xGex samples will be subjected to electrical characterization. The information from this study will provide significant insight for the process control during the integration of the Si1-xGex films in industrial silicon VLSI fabrication processes.

本研究调查的内在缺陷 以及在所述光刻胶中引入的干法蚀刻损伤， 通过各种方法合成的Si 1-xGex薄膜， 从而开发了无损伤RIE工艺， 应变和非应变Si 1-xGex材料。 这项研究将涉及两个物理 使用SEM和TEM进行表征， 涉及I-V、C-V的电特性 和DLTS测量。 的蚀刻速率 将测量这些膜。 几个离子 注入的Si 1-xGex样品将经受 电气特性 的信息 这项研究将提供重要的见解 用于集成过程中的过程控制 工业硅超大规模集成电路中Si_（1-x）Ge_x薄膜的研究 制造工艺。